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W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Memória de Acesso Aleatório Dinâmico Sincrônico de Alta Velocidade

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W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Memória de Acesso Aleatório Dinâmico Sincrônico de Alta Velocidade

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Imagem Grande :  W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Memória de Acesso Aleatório Dinâmico Sincrônico de Alta Velocidade

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: Winbond
Certificação: rohs
Número do modelo: W9864G6KH-6I
Documento: CFD5B3B2027CC778F37C3A755AA...4C.pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: consult with
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8 dias
Termos de pagamento: T/T, União Ocidental
Habilidade da fonte: 100.000
Contato Converse agora

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Memória de Acesso Aleatório Dinâmico Sincrônico de Alta Velocidade

descrição
Temperatura operacional: -40℃~+85℃ Tensão operacional: 3V~3.6V
Arquitetura de memória (formato): SDRAM Capacidade de armazenamento: 64Mbit
Frequência de pulso de disparo (fc): 166 MHz Corrente operacional: -
Destacar:

1M 4 bancos 16 bits SDRAM

,

Memória DRAM síncrona de alta velocidade

,

Chip de memória SDRAM de 16 bits

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM
Memória de acesso aleatório dinâmico síncrono de alta velocidade
Especificações do produto
Número da parte Grau de velocidade Corrente de auto-refrescamento (máximo) Temperatura de funcionamento
W9864G6KH-5 200 MHz/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C
W9864G6KH-6 166 MHz/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C
W9864G6KH-6I 166 MHz/CL3 2 mA -40°C ~ 85°C
W9864G6KH-7 143 MHz/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C
Características fundamentais
  • 3.3V ± 0,3V para fontes de alimentação de velocidades -5, -6 e -6I
  • 2.7V~3.6V para fontes de alimentação de velocidades -7
  • Até 200 MHz Frequência de relógio
  • 1,048,576 palavras * 4 bancos * 16 bits organização
  • Corrente de auto-reforço: potência normal e baixa
  • CAS Latência: 2 e 3
  • Duração da explosão: 1, 2, 4, 8 e página inteira
  • Explosão sequencial e interleave
  • Dados de byte controlados pelo LDQM, UDQM
  • Precarga automática e pré-carga controlada
  • Leia em rádio, escreva sozinho
  • Ciclos de atualização 4K/64 mS
  • Interface: LVTTL
  • Embalagem em TSOP II 54-pin, 400 mil usando materiais livres de chumbo compatíveis com a RoHS
Imagens do produto
W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Memória de Acesso Aleatório Dinâmico Sincrônico de Alta Velocidade 0 W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Memória de Acesso Aleatório Dinâmico Sincrônico de Alta Velocidade 1 W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Memória de Acesso Aleatório Dinâmico Sincrônico de Alta Velocidade 2
Embalagem e transporte
As embalagens de exportação padrão estão disponíveis. Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com suas necessidades.
Perguntas Frequentes
Como obter o preço?
Normalmente, fornecemos cotações dentro de 24 horas após o recebimento da sua consulta (excluindo fins de semana e feriados).
Qual é o seu prazo de entrega?
Os pequenos lotes são normalmente enviados dentro de 7 a 15 dias, enquanto os grandes lotes podem exigir aproximadamente 30 dias, dependendo da quantidade de pedido e da estação.
Quais são os seus termos de pagamento?
Preço de fábrica com depósito de 30% e pagamento do saldo de 70% via T/T antes do envio.
Quais são as opções de transporte?
Os métodos de envio disponíveis incluem frete marítimo, frete aéreo e entrega expressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

etiqueta:

Dram chip,

batatas fritas,

Chip de memória da gole

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Pessoa de Contato: Mr. Sun

Telefone: +8618824255380

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