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W9864G6KH-6I 1M 4 Banks 16 Bits SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리

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W9864G6KH-6I 1M 4 Banks 16 Bits SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

큰 이미지 :  W9864G6KH-6I 1M 4 Banks 16 Bits SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Winbond
인증: rohs
모델 번호: W9864G6KH-6I
문서: CFD5B3B2027CC778F37C3A755AA...4C.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
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W9864G6KH-6I 1M 4 Banks 16 Bits SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리

설명
작동 온도: -40℃~+85℃ 작동 전압: 3V~3.6V
메모리 아키텍처(형식): SDRAM 저장 용량: 64Mbit
클럭 주파수 (fc): 166MHz 작동 전류: -
강조하다:

1M 4 뱅크 16 비트 SDRAM

,

고속 동기식 DRAM 메모리

,

16 비트 SDRAM 메모리 칩

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM
고속 동기 동적 무작위 액세스 메모리
제품 사양
부문 번호 속도 등급 자기 갱신 전류 (최대) 작동 온도
W9864G6KH-5 200MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
W9864G6KH-6 166MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
W9864G6KH-6I 166MHz/CL3 2mA -40°C ~ 85°C
W9864G6KH-7 143MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
주요 특징
  • 3-5, -6 및 -6I 회전급의 전원 공급 장치에 3V ± 0.3V
  • 27V~3.6V -7속도급 전원 공급
  • 최대 200MHz 시계 주파수
  • 1,048,576 단어 * 4 은행 * 16 비트 조직
  • 자기 갱신 전류: 표준 및 저 전력
  • CAS 지연: 2와 3
  • 분출 길이는: 1, 2, 4, 8 및 전체 페이지
  • 연속 및 간격 폭발
  • LDQM, UDQM에 의해 제어되는 바이트 데이터
  • 자동 전 충전 및 제어 전 충전
  • 퍼스트 읽기, 싱글 쓰기 모드
  • 4K 갱신 주기/64mS
  • 인터페이스: LVTTL
  • TSOP II 54pin, 400ml로 포장되어 RoHS를 준수하는 납 없는 재료를 사용합니다.
제품 이미지
W9864G6KH-6I 1M 4 Banks 16 Bits SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 0 W9864G6KH-6I 1M 4 Banks 16 Bits SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 1 W9864G6KH-6I 1M 4 Banks 16 Bits SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 2
포장 및 운송
표준 수출 패키지 사용 가능. 고객은 필요에 따라 카튼, 목재 케이스 및 목재 팔렛을 선택할 수 있습니다.
자주 묻는 질문
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태그:

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DRAM 메모리 칩

연락처 세부 사항
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

담당자: Mr. Sun

전화 번호: +8618824255380

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