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W9864G6KH-6I 1M 4バンク 16ビット SDRAM 高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ

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W9864G6KH-6I 1M 4バンク 16ビット SDRAM 高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
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商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: Winbond
証明: rohs
モデル番号: W9864G6KH-6I
ドキュメント: CFD5B3B2027CC778F37C3A755AA...4C.pdf
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最小注文数量: 1
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受渡し時間: 5~8日
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供給の能力: 2623236、
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W9864G6KH-6I 1M 4バンク 16ビット SDRAM 高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ

説明
動作温度: -40℃~+85℃ 動作電圧: 3V~3.6V
メモリアーキテクチャ(フォーマット): SDRAM ストレージ容量: 64Mbit
クロック周波数(fc): 166MHz 動作電流: -
ハイライト:

1M 4バンク 16ビット SDRAM

,

高速同期DRAMメモリ

,

16ビットSDRAMメモリチップ

W9864G6KH-6I 1M 4バンク 16ビット SDRAM
高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ
製品仕様
部品番号 スピードグレード セルフレフレッシュ電流 (最大) 動作温度
W9864G6KH-5 200MHz/CL3 2mA 0℃~70℃
W9864G6KH-6 166MHz/CL3 2mA 0℃~70℃
W9864G6KH-6I 166MHz/CL3 2mA -40℃~85℃
W9864G6KH-7 143MHz/CL3 2mA 0℃~70℃
主な特徴
  • -5、-6、-6Iスピードグレードの電源供給は3.3V ± 0.3V
  • -7スピードグレードの電源供給は2.7V~3.6V
  • 最大200MHzのクロック周波数
  • 1,048,576ワード × 4バンク × 16ビット構成
  • セルフレフレッシュ電流:標準および低消費電力
  • CASレイテンシ:2および3
  • バースト長:1、2、4、8およびフルページ
  • シーケンシャルおよびインターリーブバースト
  • LDQM、UDQMによるバイトデータ制御
  • 自動プリチャージおよび制御プリチャージ
  • バーストリード、シングルライトモード
  • 4Kリフレッシュサイクル/64mS
  • インターフェース:LVTTL
  • RoHS準拠の鉛フリー材料を使用したTSOP II 54ピン、400ミルパッケージ
製品画像
W9864G6KH-6I 1M 4バンク 16ビット SDRAM 高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ 0 W9864G6KH-6I 1M 4バンク 16ビット SDRAM 高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ 1 W9864G6KH-6I 1M 4バンク 16ビット SDRAM 高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ 2
梱包と配送
標準的な輸出梱包をご用意しております。お客様のご要望に応じて、カートン、木箱、木製パレットからお選びいただけます。
よくある質問
価格の入手方法
通常、お問い合わせをいただいてから24時間以内(週末および祝日を除く)に見積もりを提供いたします。緊急の価格見積もりについては、直接お問い合わせください。
納期はどのくらいですか?
少量の場合は通常7~15日以内に発送いたします。大量注文の場合は、注文数量と季節によって約30日かかる場合があります。
支払い条件は何ですか?
工場価格で、30%のデポジットと70%の残金は出荷前にT/Tでお支払いいただきます。
どのような配送オプションがありますか?
利用可能な配送方法には、海上輸送、航空輸送、および速達便(EMS、UPS、DHL、TNT、FEDEX)が含まれます。ご注文前にご希望の方法をご確認ください。

連絡先の詳細
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

コンタクトパーソン: Mr. Sun

電話番号: +8618824255380

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