พูดคุยกันตอนนี้ |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ชิปหน่วยความจำ DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

(42)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

(129)

ระบบบนชิป (SOC)

(17)

MPU IC

(11)

CPLD PLD

(9)

เครื่องตรวจจับความร้อนอินฟราเรด

(2)

ชิปไอซี DSP

(12)

ชิปหน่วยความจำ DRAM

(26)

ชิป EEPROM

(70)

ชิป PSRAM

(5)

ชิป SRAM

(20)

แฟลช NOR

(51)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(100)

เครื่องวงจรบูรณาการ RF

(11)

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(79)

การเขียนโปรแกรม PLC

(15)

โมดูล GPS

(9)

โมดูลความถี่วิทยุ

(9)

โมดูลพลังงาน

(19)

โซลิดสเตตรีเลย์

(11)

เสาอากาศสื่อสาร

(3)

ตัวเชื่อมต่อ

(8)

ชิปการจัดการพลังงาน

(38)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V
MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

ภาพใหญ่ :  MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ซีเอ็น
ชื่อแบรนด์: micron
ได้รับการรับรอง: rohs
หมายเลขรุ่น: MT4203202
เอกสาร: C504878_B8F5383D80AAD9B07E8...98.pdf
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
ราคา: consult with
รายละเอียดการบรรจุ: ที/อาร์
เวลาการส่งมอบ: 5-8 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที, เวสเทิร์นยูเนี่ยน
สามารถในการผลิต: 100000
ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

ลักษณะ
อุณหภูมิในการทำงาน: 0°C~+95°C แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน: 1.14V~1.26V
สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ): DDR4 เอสดีแรม ความจุในการจัดเก็บข้อมูล: 8Gbit
ความถี่นาฬิกา (fc): 1.33GHz การดำเนินงานในปัจจุบัน: 270ma
เน้น:

ชิปหน่วยความจำ 16Gb DDR4 SDRAM

,

TwinDie DDR4 SDRAM 1.33GHz

,

1.14V~1.26V DDR4 DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb DDR4 SDRAM
16Gb x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM ทํางานที่ 1.33GHz กับช่วงความกระตุ้น 1.14V ~ 1.26V
ภาพรวมสินค้า
16Gb TwinDieTM DDR4 SDRAM ใช้เทคโนโลยีเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะเจาะการออกแบบนี้ยังคงมีลักษณะสัญญาณคล้าย ๆ กับ mono x16 ในขณะที่รวมลักษณะที่พัฒนาขึ้นรวมถึงการเชื่อมต่อ ZQ เพิ่มเติมสําหรับการปรับขนาดที่รวดเร็วและ BG1 การควบคุมสําหรับ x8 การแก้ไข.
ลักษณะสําคัญ
  • สร้างจากสอง x8 8Gb Micron die เพื่อสร้างโมดูล x16
  • สถาปัตยกรรม TwinDie ระดับเดียว
  • ความดันการทํางาน: VDD = VDDQ = 1.2V (ช่วง 1.14~1.26V)
  • 1อินเตอร์เฟซ I/O ที่จบด้วย VDDQ 2V
  • การตั้งค่า Ball-Out ตามมาตรฐาน JEDEC
  • การออกแบบบรรจุภัณฑ์ที่ไม่น่าสนใจ
  • ระยะอุณหภูมิการทํางาน: 0 °C ถึง 95 °C
  • วงจรการอัพเดท: 8192 วงจรใน 64ms (0 °C ถึง 85 °C)
  • วงจรการฟื้นฟู: 8192 วงจรใน 32ms (85 °C ถึง 95 °C)
รายละเอียดระดับความเร็ว
ระดับความเร็ว อัตราข้อมูล (MT/s) เป้าหมาย tRCD-tRP-CL tRCD (ns) tRP (ns) CL (ns)
-062Y320022-22-2213.75 (13.32)13.75 (13.32)13.75 (13.32)
-062E320022-22-2213.7513.7513.75
- 068293321-21-2114.32 (13.75)14.32 (13.75)14.32 (13.75)
- 075E266618-18-1813.5013.5013.50
- 075266619-19-1914.2514.2514.25
- 083E240016-16-1613.3213.3213.32
- 083240017-17-1714.16 (13.75)14.16 (13.75)14.16 (13.75)
-093E213315-15-1514.06 (13.50)14.06 (13.50)14.06 (13.50)
-093213316-16-1615.0015.0015.00
- 107E186613-13-1313.92 (13.50)13.92 (13.50)13.92 (13.50)
ภาพสินค้า
MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V 0 MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V 1 MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V 2 MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V 3
การบรรจุและการขนส่ง
ตัวเลือกการบรรจุส่งออกแบบมาตรฐานประกอบด้วยกล่องกล่อง, กล่องไม้, และพัลเล็ตไม้ ลูกค้าสามารถเลือกวิธีการบรรจุที่ชอบขึ้นอยู่กับความต้องการเฉพาะเจาะจง
คํา ถาม ที่ ถาม บ่อย
จะหาราคาได้อย่างไร
เรามักจะนําเสนอราคาภายใน 24 ชั่วโมงหลังจากได้รับการสอบถามของคุณ (ยกเว้นสุดสัปดาห์และวันหยุด). สําหรับคําขอราคาด่วน, กรุณาติดต่อเราโดยตรง.
เวลาจัดส่งของคุณคืออะไร?
ชุดเล็ก ๆ ปกติส่งภายใน 7-15 วัน ในขณะที่สั่งชุดใหญ่อาจต้องใช้เวลาประมาณ 30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณการสั่งและฤดูกาล
สัญญาการชําระเงินของคุณคืออะไร?
ราคาโรงงานด้วยเงินฝาก 30% และการชําระเงิน 70% โดย T/T ก่อนการจัดส่ง
มีทางเลือกการส่งอะไรบ้าง?
วิธีการจัดส่งที่มีให้บริการประกอบด้วย ส่งทางทะเล ส่งทางอากาศ และส่งด่วน (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX) กรุณายืนยันวิธีการที่คุณต้องการก่อนสั่งซื้อ

คะแนนโดยรวม

5.0
จาก 50 รีวิวสำหรับผู้ขายรายนี้

รูปฉบับการจัดอันดับ

ต่อไปนี้คือการกระจายการจัดอันดับทั้งหมด
5 ดาว
100%
4 ดาว
0%
3 ดาว
0%
2 ดาว
0%
1 ดาว
0%

รีวิวทั้งหมด

J
Jacques
France Oct 8.2025
เป็นประโยชน์ (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
แท็ก:

ชิป dram,

ชิปหน่วยความจำ Dram,

ชิปหน่วยความจำ 16Gb DDR4 SDRAM

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

ผู้ติดต่อ: Mr. Sun

โทร: +8618824255380

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-2000

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: BGA， FBGA

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

การบรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount

อุณหภูมิการทํางาน: 95 ℃ (สูงสุด)
ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
เกี่ยวกับ

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD สนามที่สามารถเขียนโปรแกรมได้

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip ชิป

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB ชิป Cpld ชิปโลจิกโปรแกรม 85000LE

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู จําหน่าย. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.