نتحدث الآن |
منزل المنتجاتشريحة ذاكرة DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16 جيجابايت: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز 1.14 فولت ~ 1.26 فولت

جميع المنتجات

مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA

(42)

وحدة متحكم MCU

(129)

نظام على رقاقة

(17)

وحدة تحكم MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

كاشف الحرارة تحت الحمراء

(2)

رقاقة IC DSP

(12)

شريحة ذاكرة DRAM

(26)

رقاقة eeprom

(70)

شريحة PSRAM

(5)

شريحة SRAM

(20)

ولا فلاش

(51)

ذاكرة القراءة فقط القابلة للمسح والبرمجة (EPROM) IC

(7)

IC UART

(8)

إدارة التحكم في الطاقة

(100)

الدوائر المتكاملة الراديوية

(11)

مكونات الكترونية

(79)

برمجة PLC

(15)

وحدة GPS

(9)

وحدة ترددات الراديو

(9)

وحدة الطاقة

(19)

ترحيل الحالة الصلبة

(11)

هوائي اتصالات

(3)

موصل

(8)

شريحة إدارة الطاقة

(38)
ابن دردش الآن

MT40A1G16KNR-075:E 16 جيجابايت: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز 1.14 فولت ~ 1.26 فولت

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V
MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

صورة كبيرة :  MT40A1G16KNR-075:E 16 جيجابايت: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز 1.14 فولت ~ 1.26 فولت

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: CN
اسم العلامة التجارية: micron
إصدار الشهادات: rohs
رقم الموديل: MT4112102
الوثيقة: C504878_B8F5383D80AAD9B07E8...98.pdf
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 1
الأسعار: consult with
تفاصيل التغليف: ر/ر
وقت التسليم: 5-8days
شروط الدفع: / تي تي، ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 100000
اتصل نتحدث الآن

MT40A1G16KNR-075:E 16 جيجابايت: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز 1.14 فولت ~ 1.26 فولت

وصف
درجة حرارة التشغيل: 0 درجة مئوية~+95 درجة مئوية جهد التشغيل: 1.14 فولت ~ 1.26 فولت
بنية الذاكرة (التنسيق): ذاكرة DDR4 SDRAM سعة التخزين: 8 جيجابت
تردد الساعة (fc): 1.33 جيجاهرتز التشغيل الحالي: 270MA
إبراز:

شريحة ذاكرة 16 جيجابايت DDR4 SDRAM,TwinDie DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز,1.14 فولت ~ 1.26 فولت DDR4 DRAM

,

TwinDie DDR4 SDRAM 1.33GHz

,

1.14V~1.26V DDR4 DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb DDR4 SDRAM
16Gb x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM تعمل عند 1.33GHz مع نطاق الجهد من 1.14V ~ 1.26V
لمحة عامة عن المنتج
تستخدم TwinDie TM DDR4 SDRAM 16Gb تقنية 8Gb DDR4 SDRAM المتقدمة من مايكرون ، حيث تجمع بين تكوينينين x8 لإنشاء وحدة x16 واحدة.هذا التصميم يحافظ على خصائص إشارة مماثلة لـ mono x16 مع دمج ميزات محسنة بما في ذلك اتصال ZQ إضافي للتعديل الأسرع وتحكم BG1 للتوجيه x8.
الخصائص الرئيسية
  • مبنية من اثنين x8 8Gb مايكرون يموت لتشكيل وحدة واحدة x16
  • بنية TwinDie ذات الرتبة الواحدة
  • فولتاج التشغيل: VDD = VDDQ = 1.2V (منطقة 1.14 ∼ 1.26V)
  • 1واجهة إدخال / إخراج مع نهاية VDDQ 2V
  • تكوين الكرة خارج JEDEC القياسية
  • تصميم حزمة منخفضة الوضوح
  • نطاق درجة حرارة التشغيل: 0 °C إلى 95 °C
  • دورات التحديث: 8192 دورة في 64ms (0 °C إلى 85 °C)
  • دورات التحديث: 8192 دورة في 32ms (85 °C إلى 95 °C)
مواصفات درجة السرعة
درجة السرعة معدل البيانات (MT/s) الهدف tRCD-tRP-CL tRCD (ns) tRP (ns) CL (ns)
-062Y320022-22-2213.75 (13.32)13.75 (13.32)13.75 (13.32)
-062E320022-22-2213.7513.7513.75
-068293321-21-2114.32 (13.75)14.32 (13.75)14.32 (13.75)
-075E266618-18-1813.5013.5013.50
-075266619-19-1914.2514.2514.25
-083E240016-16-1613.3213.3213.32
-083240017-17-1714.16 (13.75)14.16 (13.75)14.16 (13.75)
-093E213315-15-1514.06 (13.50)14.06 (13.50)14.06 (13.50)
-093213316-16-1615.0015.0015.00
- 107E186613-13-1313.92 (13.50)13.92 (13.50)13.92 (13.50)
صور المنتج
MT40A1G16KNR-075:E 16 جيجابايت: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز 1.14 فولت ~ 1.26 فولت 0 MT40A1G16KNR-075:E 16 جيجابايت: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز 1.14 فولت ~ 1.26 فولت 1 MT40A1G16KNR-075:E 16 جيجابايت: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز 1.14 فولت ~ 1.26 فولت 2 MT40A1G16KNR-075:E 16 جيجابايت: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز 1.14 فولت ~ 1.26 فولت 3
التعبئة والشحن
تشمل خيارات التعبئة والتغليف الصادرة القياسية الكرتونات والحقائب الخشبية والحاويات الخشبية. يمكن للعملاء اختيار طريقة التعبئة والتغليف المفضلة لديهم بناءً على المتطلبات المحددة.
الأسئلة الشائعة
كيف يمكنني الحصول على السعر؟
نحن عادة ما نقدم عروض الأسعار في غضون 24 ساعة من استلام استفسارك (باستثناء عطلات نهاية الأسبوع والأعياد). للحصول على طلبات الأسعار العاجلة ، يرجى الاتصال بنا مباشرة.
ما هو وقت التسليم الخاص بك؟
عادة ما يتم شحن الدفعات الصغيرة في غضون 7-15 يومًا ، في حين أن طلبات الدفعات الكبيرة قد تتطلب حوالي 30 يومًا اعتمادًا على كمية الطلب والموسم.
ما هي شروط الدفع الخاصة بك؟
سعر المصنع مع 30% الودائع و 70% سداد الرصيد عن طريق T / T قبل الشحن.
ما هي خيارات الشحن؟
طرق الشحن المتاحة تشمل الشحن البحري، الشحن الجوي، والتسليم السريع (EMS، UPS، DHL، TNT، FEDEX). يرجى تأكيد الطريقة المفضلة لديك قبل الطلب.

التصنيف العام

5.0
بناءً على 50 مراجعة لهذا المورد

لقطة تقييم

فيما يلي توزيع جميع التصنيفات
5 النجوم
100%
4 النجوم
0%
3 النجوم
0%
2 النجوم
0%
1 النجوم
0%

جميع المراجعات

J
Jacques
France Oct 8.2025
مفيدة (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
بطاقة:

شريحة درام,شريحة درام,رقائق الذاكرة الدرامية,

شريحة ذاكرة 16 جيجابايت DDR4 SDRAM,TwinDie DDR4 SDRAM 1.33 جيجاهرتز,1.14 فولت ~ 1.26 فولت DDR4 DRAM,

dram memory chips

تفاصيل الاتصال
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

اتصل شخص: Mr. Sun

الهاتف :: +8618824255380

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

منتجات أخرى
شريحة ذاكرة DRAM FBGA-200 بسعة 8 جيجابايت X16 X2 قناة LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

شريحة ذاكرة DRAM FBGA-200 بسعة 8 جيجابايت X16 X2 قناة LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

العبوة العالمية: FBGA-200

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
شريحة ذاكرة DRAM ديناميكية ذات وصول عشوائي DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA بسعة 2 جيجابايت

شريحة ذاكرة DRAM ديناميكية ذات وصول عشوائي DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA بسعة 2 جيجابايت

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

العبوة العالمية: BGA ， FBGA

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
DDR3L X16 4Gb DRAM رقاقة الصناعية F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4Gb DRAM رقاقة الصناعية F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

التغليف العالمي: FBGA-96

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
شريحة ذاكرة 512MB 16bit DRAM 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

شريحة ذاكرة 512MB 16bit DRAM 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

كتالوج البضائع: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

تغليف للأغراض العامة: FBGA-96

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح

درجة حرارة العمل: 95 ℃ (كحد أقصى)
شريحة ذاكرة DRAM صناعية DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

شريحة ذاكرة DRAM صناعية DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

العبوة العالمية: FBGA-96

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
حول

وحدة متحكم MCU

UART SPI MCU متحكم دقيق معالج دقيق Arm Cortex-A35 شريحة MA35D16F887C

وحدة تحكم دقيقة من Atmel 8 بت، 16-32 كيلوبايت، ذاكرة فلاش قابلة للبرمجة ATMEGA168PA-AU

128 كيلو بايت 8 بت وحدة تحكم دقيقة وحدة المعالجة المركزية شريحة حاسوب دقيق بنواة AVR ATMEGA128A-AU

مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD صفيف منطق الجهاز القابل للبرمجة الميداني

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I / O بوابة المجال صفحة المجال قابل للبرمجة صفحة المنطقية جهاز رقاقة

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB رقائق Cpld رقائق منطقية قابلة للبرمجة 85000LE

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA المورد. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.