พูดคุยกันตอนนี้ |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ชิปหน่วยความจำ DRAM

ชิปความทรงจําไฟแลช NAND

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

(42)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

(129)

ระบบบนชิป (SOC)

(17)

MPU IC

(11)

CPLD PLD

(9)

เครื่องตรวจจับความร้อนอินฟราเรด

(2)

ชิปไอซี DSP

(12)

ชิปหน่วยความจำ DRAM

(26)

ชิป EEPROM

(70)

ชิป PSRAM

(5)

ชิป SRAM

(20)

แฟลช NOR

(51)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(100)

เครื่องวงจรบูรณาการ RF

(11)

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(79)

การเขียนโปรแกรม PLC

(15)

โมดูล GPS

(9)

โมดูลความถี่วิทยุ

(9)

โมดูลพลังงาน

(19)

โซลิดสเตตรีเลย์

(11)

เสาอากาศสื่อสาร

(3)

ตัวเชื่อมต่อ

(8)

ชิปการจัดการพลังงาน

(38)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

ชิปความทรงจําไฟแลช NAND

K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip
K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash Memory Chip

ภาพใหญ่ :  ชิปความทรงจําไฟแลช NAND

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: เกาหลี
ชื่อแบรนด์: SAMSUNG
ได้รับการรับรอง: ROHS
หมายเลขรุ่น: K3KL9L90CM-MGCT
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
ราคา: consult
รายละเอียดการบรรจุ: ที/อาร์
เวลาการส่งมอบ: 5 ～ 8 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, Western Union
สามารถในการผลิต: 10,000
ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

ชิปความทรงจําไฟแลช NAND

ลักษณะ
พิมพ์: หน่วยความจำแฟลช NAND มาตรฐานอินเทอร์เฟซ: ยูเอฟเอส 2.1
ความจุ: 64GB แรงดันไฟฟ้า: 2.5V - 3.6V
อัตราการถ่ายโอนข้อมูล: สูงถึง 530 MB/s (การอ่านตามลำดับ) สูงถึง 170 MB/s (การเขียนตามลำดับ) รูปแบบบรรจุภัณฑ์: BGA
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน: -25°C ถึง +85°C I/O PIN: 400mil BGA
เน้น:

แมมรี่แฟลช 64GB UFS 2.1 NAND

,

ชิปความจําแฟลช BGA NAND

,

UFS 2.1 ความจําพร้อมการรับประกัน

ชิปความทรงจํา NAND FLASH K3KL9L90CM-MGCT ถูกนําไปใช้ในอุปกรณ์มือถือระดับสูง
K3KL9L90CM-MGCT

K3KL9L90CM-MGCT เป็นชิปความจํา NAND Flash ที่ติดตั้งจากซีรีย์ UFS (Universal Flash Storage) ของ Samsung Electronics ออกแบบให้กับอุปกรณ์มือถือระดับสูง เช่น สมาร์ทโฟนและแท็บเล็ตชิปนี้สามารถส่งข้อมูลและเก็บข้อมูลได้อย่างรวดเร็ว. สอดคล้องกับมาตรฐาน UFS 2.1 มันให้ความเร็วการอ่าน / เขียนที่ดีกว่า, การบริโภคพลังงานที่ลดลง, และขนาดคอมแพคต์เพื่อตอบสนองความต้องการที่ต้องการในการเก็บของของอุปกรณ์สมาร์ทที่ทันสมัย

รายละเอียดเทคนิค
ปริมาตร มูลค่า
ประเภท แมมรี่แฟลช NAND
มาตรฐานอินเตอร์เฟส UFS 21
ความจุ 64GB
โลตติจ์ทํางาน 2.5V - 3.6V
อัตราการโอนข้อมูล สูงสุด 530 MB/s (อ่านเรียงลําดับ) สูงสุด 170 MB/s (เขียนเรียงลําดับ)
รูปแบบบรรจุ BGA
ระยะอุณหภูมิการทํางาน -25°C ถึง +85°C
ปิน I/O 400มิล BGA
ลักษณะสําคัญ
  • ผลงานที่ดีกว่าเมื่อเทียบกับการแก้ไข eMMC แบบดั้งเดิม
  • การส่งข้อมูลความเร็วสูงที่มีอินเตอร์เฟซ UFS 2.1 รองรับการทํางานแบบ Full-Duplex สําหรับการทํางานอ่าน/เขียนพร้อมกัน
  • การใช้พลังงานที่ลดลงขยายอายุของแบตเตอรี่ของอุปกรณ์
  • หน่วยการออกแบบที่คอมแพคต์ เหมาะสําหรับอุปกรณ์มือถือที่จํากัดพื้นที่
  • ความมั่นคงและความน่าเชื่อถือเพิ่มขึ้น ผ่านการทดสอบอย่างเข้มงวด
  • การเข้ารหัสระดับฮาร์ดแวร์เพื่อความปลอดภัยของข้อมูล
การใช้งาน
  • สมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต:โซลูชั่นการเก็บข้อมูลภายในหลักที่ให้ความจุสูงและการเก็บข้อมูลที่มีประสิทธิภาพสูง
  • ระบบรถยนต์:เหมาะสําหรับระบบข้อมูลบันเทิงที่ต้องการระบบเก็บข้อมูลที่เชื่อถือได้ และมีประสิทธิภาพสูง
  • อุปกรณ์ควบคุมอุตสาหกรรมเก็บโปรแกรมและข้อมูลที่สําคัญไว้ในระบบอัตโนมัติ
  • อุปกรณ์ IoT:รองรับความต้องการในการเก็บข้อมูลท้องถิ่นเพื่อการตอบสนองในเวลาจริง
  • อุปกรณ์ที่ใส่ได้:ขนาดเล็กและการใช้พลังงานที่ต่ํา ทําให้มันเหมาะสมสําหรับการแก้ไขการเก็บของที่ใส่ได้
ภาพสินค้า
ชิปความทรงจําไฟแลช NAND 0 ชิปความทรงจําไฟแลช NAND 1 ชิปความทรงจําไฟแลช NAND 2 ชิปความทรงจําไฟแลช NAND 3
คํา ถาม ที่ ถาม บ่อย
1จะหาราคาได้อย่างไร

เรามักจะอ้างอิงภายใน 24 ชั่วโมงหลังจากได้รับการสอบถามของคุณ (ยกเว้นสุดสัปดาห์ / วันหยุด) สําหรับคําขอด่วน, กรุณาติดต่อเราโดยตรง

2เวลาส่งของคุณเท่าไหร่?

ชุดเล็ก: 7-15 วัน ชุดใหญ่: ประมาณ 30 วัน เวลาขึ้นอยู่กับปริมาณการสั่งซื้อและฤดู

3สัญญาการชําระเงินของคุณคืออะไร?

ราคาโรงงาน เงินฝาก 30% เงินเหลือ 70% ผ่าน T/T ก่อนส่ง

4วิธีการขนส่งคืออะไร?

ตัวเลือกที่มี: ทางทะเล, ทางอากาศ, หรือด่วน (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). กรุณายืนยันก่อนสั่งซื้อ

5คุณช่วยสร้างความสัมพันธ์ระยะยาวได้อย่างไร
  • เรารักษาคุณภาพที่ดีและราคาที่แข่งขัน
  • เราปฏิบัติต่อลูกค้าทุกคนด้วยความซื่อสัตย์และความเคารพ

คะแนนโดยรวม

5.0
จาก 50 รีวิวสำหรับผู้ขายรายนี้

รูปฉบับการจัดอันดับ

ต่อไปนี้คือการกระจายการจัดอันดับทั้งหมด
5 ดาว
100%
4 ดาว
0%
3 ดาว
0%
2 ดาว
0%
1 ดาว
0%

รีวิวทั้งหมด

J
Jacques
France Oct 8.2025
เป็นประโยชน์ (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
แท็ก:

ชิป dram,

ชิปหน่วยความจำ Dram,

แมมรี่แฟลช 64GB UFS 2.1 NAND

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

ผู้ติดต่อ: Mr. Sun

โทร: +8618824255380

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-2000

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: BGA， FBGA

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

การบรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount

อุณหภูมิการทํางาน: 95 ℃ (สูงสุด)
ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
เกี่ยวกับ

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD สนามที่สามารถเขียนโปรแกรมได้

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip ชิป

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB ชิป Cpld ชิปโลจิกโปรแกรม 85000LE

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู จําหน่าย. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.