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| 새로 고침 총수: | 8k | 조직: | 128M X 8 |
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| 하위 범주: | 메모리 & 데이터 스토리지 | 범주: | 메모리 |
| 민감한 수분: | 예 | 엑세스 시간: | 70 나노 초 |
| 메모리 유형: | 비 휘발성 | 프로그래밍 가능: | 확인됨 |
| 메모리 크기: | 128Mbit | 표준 SPI: | sclk, /cs, si, so, /wp |
| 포장 방법: | 우븐 테이프 | 섹터 소거: | 4 킬로바 |
| 강조하다: | 16M-비트 또는 플래시 메모리,2.3V에서 3.6V 연속 플래시 메모리,100K 사이클 SPI 플래시 메모리 |
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P25Q16SH는 플래시 메모리에서 임베디드 또는 외부 RAM으로 프로그램 코드를 섀도잉하여 실행하는 다양한 대량 소비 기반 응용 분야에서 사용하도록 설계된 직렬 인터페이스 플래시 메모리 장치입니다. 페이지 지우기 세분성을 갖춘 장치의 유연한 지우기 아키텍처는 데이터 저장에도 이상적이므로 추가 데이터 저장 장치가 필요하지 않습니다.
장치의 지우기 블록 크기는 오늘날의 코드 및 데이터 저장 응용 분야의 요구 사항을 충족하도록 최적화되었습니다. 지우기 블록 크기를 최적화함으로써 메모리 공간을 훨씬 더 효율적으로 사용할 수 있습니다. 특정 코드 모듈 및 데이터 저장 세그먼트는 자체 지우기 영역에 자체적으로 상주해야 하므로 대형 섹터 및 대형 블록 지우기 플래시 메모리 장치에서 발생하는 낭비되고 사용되지 않는 메모리 공간을 크게 줄일 수 있습니다. 이러한 메모리 공간 효율성 증가는 동일한 전체 장치 밀도를 유지하면서 추가 코드 루틴 및 데이터 저장 세그먼트를 추가할 수 있도록 합니다. 이 장치에는 OTP 잠금(일회성 프로그래밍 가능) 기능이 있는 추가 3*1024바이트 보안 레지스터가 포함되어 있으며 고유한 장치 직렬화, 시스템 수준 전자 일련 번호(ESN) 저장, 잠긴 키 저장 등과 같은 목적으로 사용할 수 있습니다.
특히 다양한 시스템에서 사용하도록 설계된 이 장치는 2.3V ~ 3.6V의 넓은 공급 전압 범위에서 읽기, 프로그램 및 지우기 작업을 지원합니다. 프로그래밍 및 지우기에 별도의 전압이 필요하지 않습니다.
| 아니요. | 기호 | 확장 | 비고 |
|---|---|---|---|
| 1 | CS# | 칩 선택 | |
| 2 | SO | SIO1 | 1 x I/O용 직렬 데이터 출력4 x I/O 읽기 모드용 직렬 데이터 입력 및 출력 |
| 3 | WP# | SIO2 | 쓰기 보호 활성 로우4 x I/O 읽기 모드용 직렬 데이터 입력 및 출력 |
| 4 | GND | - | 장치의 접지 |
| 5 | SI | SIO0 | 1x I/O용 직렬 데이터 입력4 x I/O 읽기 모드용 직렬 데이터 입력 및 출력 |
| 6 | SCLK | - | 직렬 인터페이스 클럭 입력 |
| 7 | HOLD#/RESET# | SIO3 | 하드웨어 재설정 핀 활성 로우 또는 장치를 선택 해제하지 않고 장치를 일시 중지4 x I/O 읽기 모드용 직렬 데이터 입력 및 출력 |
| 8 | VCC | - | 장치의 전원 공급 장치 |
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