제품 소개NOR 플래시

MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mb 3V 다중 I/O 직렬 플래시 메모리 SPI 133MHz

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MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mb 3V 다중 I/O 직렬 플래시 메모리 SPI 133MHz

MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mb 3V Multiple I/O Serial Flash Memory SPI 133MHz
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큰 이미지 :  MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mb 3V 다중 I/O 직렬 플래시 메모리 SPI 133MHz

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: micron
인증: rohs
모델 번호: MT25QL512ABB8ESF-0SIT
문서: 537525E09AC021860605C54E1C9...F4.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
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MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mb 3V 다중 I/O 직렬 플래시 메모리 SPI 133MHz

설명
작동 온도: -40℃~+85℃ 작동 전압: 2.7V~3.6V
인터페이스 유형: SPI 저장 용량: 512Mbit
클럭 주파수 (fc): 133MHz 페이지 쓰기 시간(Tpp): -
강조하다:

512Mb 3V SPI 플래시 메모리

,

MT25QL512ABB8ESF NOR 플래시

,

133MHz 다중 I/O 직렬 플래시

MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mb 3V 다중 I/O 시리즈 플래시 메모리 SPI 133MHz
제품 개요

512Mb 3V 다중 I/O 일련 플래시 메모리, SPI 인터페이스로 최대 주파수 133MHz에서 작동한다.

주요 특징
  • SPI 호환형 일련 버스 인터페이스
  • 단일 및 이중 전송율 (STR/DTR) 지원
  • 시계 주파수: STR의 경우 133 MHz (MAX), DTR의 경우 90 MHz (MAX)
  • 최대 90 MB/s까지의 처리량을 위한 듀얼/쿼드 I/O 명령어
  • 확장된 I/O, 듀얼 I/O 및 STR 및 DTR의 쿼드 I/O 프로토콜
  • 현장 실행 (XIP) 기능
  • 프로그램/삭제 중지 작업
  • 휘발성 및 비휘발성 구성 설정
  • 소프트웨어 리셋 및 리셋 핀 사용 가능성
  • 128MB 이상의 메모리 접근을 위한 3바이트 및 4바이트 주소 모드
  • 메인 메모리 외의 전용 64바이트 OTP 영역
  • 다중 분자화와 함께 포괄적인 삭제 기능
  • 고급 보안 및 쓰기 보호 기능
  • JEDEC 표준 전자 서명
  • JESD47H를 준수하고, 각 부문별로 10만 번 삭제 주기를 수행하고, 20년 동안 데이터를 보관합니다.
메모리 세그먼트 구성
비트 이름 설정 설명
72 A[31:26] 000000 예약
1:0 A[25:24] 11 = 최대 128Mb 세그먼트
10 = 세 번째 128Mb 세그먼트
01 = 두 번째 128Mb 세그먼트
00 = 최저 128Mb 세그먼트 (예정)
지정된 128Mb 메모리 세그먼트를 활성화합니다. 기본 (최하위) 설정은 비휘발성 구성 레지스터의 비트 1을 사용하여 가장 높은 128Mb 세그먼트로 변경할 수 있습니다.
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포장 및 운송

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전체 평점

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J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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