Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияЧип SRAM

DDR4 4Gb SDRAM Чип 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Обновление IMD256M16R4ABD8LY

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(19)

Блок микроконтроллера MCU

(17)

Система SOC на чипе

(11)

IC MPU

(9)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(1)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(12)

обломок eeprom

(10)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(15)

Никакой вспышки

(12)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Радиочастотные интегральные схемы

(10)

Литий-ионная батарея

(21)

Программирование ПЛК

(14)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(11)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)
Оставьте нам сообщение

DDR4 4Gb SDRAM Чип 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Обновление IMD256M16R4ABD8LY

DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY
DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY
DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY

Большие изображения :  DDR4 4Gb SDRAM Чип 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Обновление IMD256M16R4ABD8LY

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: CN
Фирменное наименование: ICMAX
Сертификация: RoHS
Номер модели: IMD256M16R4ABD8LY
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 2
Цена: consult
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5 ～ 8 дней
Условия оплаты: T/T, Western Union
Поставка способности: 10000
контакт Побеседуйте теперь

DDR4 4Gb SDRAM Чип 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Обновление IMD256M16R4ABD8LY

описание
Упаковка продукта: FBGA-96 (7,5x13.5) Метод упаковки: Сплетенная лента
Грубый вес товара: 0,6 (г) Конфигурация: 32 Meg банки x 4 x 8
Освежите отсчет: 8к
Выделить:

DDR4 4Gb SDRAM чип FBGA-96

,

Чип 32Mx4 SDRAM 1

,

2 В

Чип памяти DDR4 4Gb SDRAM Refresh IMD256M16R4ABD8LY
DDR4 SDRAM
IMD256M16R4ABD8LY 32 мегаграмм х 16 х 8 банков
Особенности
  • VDD = VDDQ = 1,2V ± 60mV
  • VPP = 2,5В, 125mV/+250mV
  • Внутренняя генерация VREFDQ с регулируемым приводом
  • 1.2V псевдо-открытый I/O
  • TC от 0°C до 85°C
    • 64 мс, 8192 цикла обновления от 0°C до 85°C
    • 32 мс при температуре от 85 до 95 °C
  • 16 внутренних банков (x4, x8): 4 группы по 4 банка каждая
  • 8 внутренних банков (x16): 2 группы по 4 банка
  • Архитектура 8n-битного префетча
  • Преамбулы программируемых данных
  • Обучение в преамбуле к данным.
  • Задержка выполнения команды/адреса (CAL)
  • Возможность чтения и записи многоцелевого регистра
  • Уравнение письма и чтения
  • Режим самообновления
  • Автоматическое самообновление малой мощности (LPASR)
  • Теплорегулируемое обновление (TCR)
  • Обновление тонкой гранулированности
  • Отменить автообновление
  • Максимальная экономия энергии
  • Калибровка выходного драйвера
  • Номинальное, парковое и динамическое завершение на заготовке (ODT)
  • Инверсия шины данных (DBI) для шины данных
  • Парадность команды/адреса (CA)
  • Проверка циклической избыточности записи в базе данных (CRC)
  • Адресованность по DRAM
  • Испытание соединения (x16)
  • Режимы ремонта после упаковки (PPR) и мягкого ремонта после упаковки (sPPR)
  • Соответствует JEDEC JESD-79-4
Варианты
Категория Подробная информация
Маркировка памяти ICMAX IMD
Конфигурация 1 гигг х 4
512 мегx8
256 мегаграмм x 16
1G4512M8256MM16
Код продукции DDR4
Плотность -4 гигабайта
Напряжение/обновление -1.2В/8к обновление
Пакет FBGA (без Pb) -x4, x8 78 шаров (7,5 мм х 1 мм)
78 шаров (8мм х 12мм)
D8
78 шаров (9 мм х 10,5 мм)
78 шаров (9 мм х 11,5 мм)
78 шаров (9 мм х 13,2 мм)
Пакет FBGA (без Pb) -x16 96 шаров (9мм х 14мм), обороты А
96 шаров (9мм х 14мм), обороты B
96 шаров (7,5 мм x 13,5 мм) с оборотом E, F
Время - время цикла Лр
0.750ns@CL=18 (DDR4-2666)
0.833ns @ CL=16 (DDR4-2400)
0.833ns @CL=17 (DDR4-2400)
0.937ns @CL=15 (DDR4-2133)
0.937ns @CL=16 (DDR4-2133)
0.937ns @CL=16 (DDR4-2133)
0.937ns @CL=16 (DDR4-2133)
Рабочая температура Коммерческие (0°≤ Tc ≤ 85°C)
Прочие Никаких
Параметры
Параметр 1 гиг * 4 512 Мг * 8 256 Мега * 16
Количество банковских групп 4 4 2
Адрес банковской группы BG[1:0] BG[1:0] BG0
Количество банков по группам 4 4 4
Адрес банка в банковской группе BA[1:0] BA[1:0] BA[1:0]
Адресование строки 64K (A[15:0]) 32K (A[15:0]) 32K (A[14:0])
Адресование столбца 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
Размер страницы1 512B / 1KB2 1KB 2KB
DDR4 4Gb SDRAM Чип 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Обновление IMD256M16R4ABD8LY 0 DDR4 4Gb SDRAM Чип 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Обновление IMD256M16R4ABD8LY 1 DDR4 4Gb SDRAM Чип 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Обновление IMD256M16R4ABD8LY 2
Упаковка и перевозка

Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.

Часто задаваемые вопросы

Как получить цену?

Обычно мы предоставляем предложения в течение 24 часов после получения вашего запроса (за исключением выходных и праздничных дней).

Сколько у вас сроков доставки?

Небольшие партии обычно отправляются в течение 7-15 дней, в то время как большие партии заказов могут потребовать примерно 30 дней в зависимости от количества заказа и сезона.

Какие у вас условия оплаты?

Фабричные цены с 30% депозита и 70% остаток оплаты через T / T перед отправкой.

Какие варианты доставки?

Доступные способы доставки включают морскую перевозку, авиаперевозку и экспресс-доставку (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

тег:

чип SRAM,

чип памяти SRAM,

встроенный SRAM

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: 18824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 256 кбит

Организация:: 32 к х 8
Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 8 Mbit

Организация:: 512 к x 16
Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Каталог продукта: Память > Память статического случайного доступа (SRAM)

Универсальная упаковка: TSOP-44

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 1 Mbit

Организация:: 128 к × 8
18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 18 Мбит

Организация:: 512 к х 36
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

75520LE 11800ALM CPLD Программируемая логическая матрица XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip XC6SLX9-2CSG324I

2 X 32 КБ ПЛИС (CPLD) микросхемы программируемой логики 85000LE XC7Z020-2CLG484I

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.