พูดคุยกันตอนนี้ |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ชิป SRAM

DDR4 4Gb SDRAM ชิป 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K อัพเดท IMD256M16R4ABD8LY

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

(19)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

(17)

ระบบบนชิป (SOC)

(11)

MPU IC

(9)

CPLD PLD

(9)

เครื่องตรวจจับความร้อนอินฟราเรด

(1)

ชิปไอซี DSP

(12)

ชิปหน่วยความจำ DRAM

(12)

ชิป EEPROM

(10)

ชิป PSRAM

(5)

ชิป SRAM

(15)

แฟลช NOR

(12)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

เครื่องวงจรบูรณาการ RF

(10)

แบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

(21)

การเขียนโปรแกรม PLC

(14)

โมดูล GPS

(9)

โมดูลความถี่วิทยุ

(9)

โมดูลพลังงาน

(11)

โซลิดสเตตรีเลย์

(11)

เสาอากาศสื่อสาร

(3)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

DDR4 4Gb SDRAM ชิป 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K อัพเดท IMD256M16R4ABD8LY

DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY
DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY
DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY

ภาพใหญ่ :  DDR4 4Gb SDRAM ชิป 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K อัพเดท IMD256M16R4ABD8LY

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ซีเอ็นเอ็น
ชื่อแบรนด์: ICMAX
ได้รับการรับรอง: RoHS
หมายเลขรุ่น: IMD256M16R4ABD8LY
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2
ราคา: consult
รายละเอียดการบรรจุ: ที/อาร์
เวลาการส่งมอบ: 5 ～ 8 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, Western Union
สามารถในการผลิต: 10,000
ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

DDR4 4Gb SDRAM ชิป 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K อัพเดท IMD256M16R4ABD8LY

ลักษณะ
บรรจุภัณฑ์: FBGA-96 (7.5x13.5) วิธีบรรจุภัณฑ์: เทปทอ
น้ำหนักรวมของสินค้าโภคภัณฑ์: 0.6 (g) การกำหนดค่า: ธนาคาร 32 เมกะ x 4 x 8
จำนวนรีเฟรช: 8K
เน้น:

ชิป DDR4 4Gb SDRAM FBGA-96

,

ชิป 32Mx4 SDRAM 1.2V

,

ชิป SDRAM อัพเดท 8K พร้อมการรับประกัน

DDR4 4GB SDRAM หน่วยความจำการรีเฟรช IMD256M16R4ABD8LY
ddr4 sdram
IMD256M16R4ABD8LY - 32 เมกะ x 16 x 8 ธนาคาร
คุณสมบัติ
  • VDD = VDDQ = 1.2V ± 60MV
  • VPP = 2.5V, –125MV/+250MV
  • On-Die, Internal, Vrefdq Generation
  • 1.2V Pseudo Open-Drain I/O
  • TC ของ 0 ° C ถึง 85 ° C
    • 64ms, การรีเฟรช 8192 รอบที่ 0 ° C ถึง 85 ° C
    • 32ms ที่ 85 ° C ถึง 95 ° C
  • 16 ธนาคารภายใน (x4, x8): 4 กลุ่มของ 4 ธนาคารแต่ละกลุ่ม
  • 8 ธนาคารภายใน (x16): 2 กลุ่มของ 4 ธนาคารแต่ละแห่ง
  • สถาปัตยกรรม prefetch 8n-bit
  • preambles data data programmable
  • การฝึกอบรมคำนำหน้า
  • คำสั่ง/ที่อยู่แฝง (CAL)
  • ความสามารถในการอ่านและการเขียนอเนกประสงค์
  • เขียนและอ่านระดับ
  • โหมดรีเฟรชตัวเอง
  • การรีเฟรชตนเองอัตโนมัติพลังงานต่ำ (LPASR)
  • การรีเฟรชควบคุมอุณหภูมิ (TCR)
  • รีเฟรชละเอียดละเอียด
  • การรีเฟรชตัวเองยกเลิก
  • การประหยัดพลังงานสูงสุด
  • การสอบเทียบไดรเวอร์เอาท์พุท
  • การยกเลิกการยกเลิกการเสียชีวิต (ODT) แบบไดนามิก (ODT)
  • Data Bus Inversion (DBI) สำหรับบัสข้อมูล
  • คำสั่ง/ที่อยู่ (CA) ความเท่าเทียมกัน
  • Databus Write Cyclic Redundancy Check (CRC)
  • ความสามารถในการจัดสรรที่อยู่
  • การทดสอบการเชื่อมต่อ (x16)
  • Post Package Repair (PPR) และโหมด Soft Post PackageRepair (SPPR)
  • JEDEC JESD-79-4 เป็นไปตามมาตรฐาน
ตัวเลือก
หมวดหมู่ รายละเอียด
การทำเครื่องหมายหน่วยความจำ ICMAX IMD
การกำหนดค่า 1 กิ๊ก x 4
512 megx8
256 meg x 16
1G4512M8256MM16
รหัสผลิตภัณฑ์ DDR4
ความหนาแน่น -4 กิกะไบต์
แรงดันไฟฟ้า/รีเฟรช -1.2V/8K รีเฟรช
แพ็คเกจ FBGA (ฟรี PB) -x4, x8 78-ball (7.5mm x 1lmm)
78-ball (8 มม. x 12 มม.)
D8
78-Ball (9 มม. x 10.5 มม.)
78-Ball (9 มม. x 11.5 มม.)
78-Ball (9 มม. x 13.2 มม.)
แพ็คเกจ FBGA (ฟรี PB) -x16 96-Ball (9 มม. x 14 มม.), Rev A
96-ball (9mm x 14mm), Rev B
96-ball (7.5mmx13.5 มม.) -rev e, F
เวลา -เวลารอบ LR
0.750ns@cl=18 (DDR4-2666)
0.833ns @ cl = 16 (DDR4-2400)
0.833ns @cl = 17 (DDR4-2400)
0.937ns @cl = 15 (DDR4-2133)
0.937ns @cl = 16 (DDR4-2133)
0.937ns @cl = 16 (DDR4-2133)
0.937ns @cl = 16 (DDR4-2133)
อุณหภูมิการทำงาน เชิงพาณิชย์ (0 °≤ TC ≤ 85 ° C)
อื่น ไม่มี
พารามิเตอร์
พารามิเตอร์ 1 กิ๊ก * 4 512 meg * 8 256 เม็ก * 16
จำนวนกลุ่มธนาคาร 4 4 2
ที่อยู่กลุ่มธนาคาร BG [1: 0] BG [1: 0] BG0
จำนวนธนาคารต่อกลุ่ม 4 4 4
ที่อยู่ธนาคารในกลุ่มธนาคาร BA [1: 0] BA [1: 0] BA [1: 0]
การกำหนดที่อยู่แถว 64K (A [15: 0]) 32K (A [15: 0]) 32K (A [14: 0])
การกำหนดที่อยู่คอลัมน์ 1K (A [9: 0]) 1K (A [9: 0]) 1K (A [9: 0])
หน้าขนาด 1 512B / 1KB2 1KB 2KB
DDR4 4Gb SDRAM ชิป 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K อัพเดท IMD256M16R4ABD8LY 0 DDR4 4Gb SDRAM ชิป 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K อัพเดท IMD256M16R4ABD8LY 1 DDR4 4Gb SDRAM ชิป 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K อัพเดท IMD256M16R4ABD8LY 2
บรรจุภัณฑ์และการจัดส่ง

บรรจุภัณฑ์ส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกล่องไม้และพาเลทไม้ตามความต้องการของพวกเขา

คำถามที่พบบ่อย

วิธีรับราคา?

โดยทั่วไปเราจะให้ใบเสนอราคาภายใน 24 ชั่วโมงหลังจากได้รับการสอบถามของคุณ (ไม่รวมวันหยุดสุดสัปดาห์และวันหยุด) สำหรับคำขอราคาเร่งด่วนโปรดติดต่อเราโดยตรง

เวลาจัดส่งของคุณคืออะไร?

โดยทั่วไปแล้วแบทช์ขนาดเล็กจะจัดส่งภายใน 7-15 วันในขณะที่คำสั่งซื้อชุดใหญ่อาจต้องใช้เวลาประมาณ 30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณการสั่งซื้อและฤดูกาล

เงื่อนไขการชำระเงินของคุณคืออะไร?

การกำหนดราคาจากโรงงานที่มีเงินฝาก 30% และการชำระยอดคงเหลือ 70% ผ่าน T/T ก่อนการจัดส่ง

ตัวเลือกการจัดส่งคืออะไร?

วิธีการจัดส่งที่มีอยู่รวมถึงการขนส่งทางทะเลการขนส่งทางอากาศและการจัดส่งด่วน (EMS, UPS, DHL, TNT, FedEx) โปรดยืนยันวิธีการที่คุณต้องการก่อนสั่งซื้อ

แท็ก:

ชิป SRAM,

ชิปหน่วยความจำ SRAM,

SRAM บนชิป

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

ผู้ติดต่อ: Mr. Sun

โทร: 18824255380

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
256Kbit TSOP-28 SRAM Chip Static Random Access Memory CY62256NLL-55ZXIT อนุรักษ์ความทรงจําแบบสุ่ม

256Kbit TSOP-28 SRAM Chip Static Random Access Memory CY62256NLL-55ZXIT อนุรักษ์ความทรงจําแบบสุ่ม

ผู้ผลิต:: อินฟินิออน

ประเภทสินค้า:: แรม

ขนาดหน่วยความจำ:: 256 กิโลบิต

องค์กร:: 32 กx 8
หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบสแตติก 8Mbit ชิป Sram COMS CY7C1051DV33-10ZSXIT

หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบสแตติก 8Mbit ชิป Sram COMS CY7C1051DV33-10ZSXIT

ผู้ผลิต:: อินฟินิออน

ประเภทสินค้า:: แรม

ขนาดหน่วยความจำ:: 8 เมกะบิต

องค์กร:: 512 kx 16
512k X 16 SRAM ชิป IS62WV51216BLL-55TLI CMOS ความดันต่ํา

512k X 16 SRAM ชิป IS62WV51216BLL-55TLI CMOS ความดันต่ํา

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบคงที่ (SRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: ทปอ.-44

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
1Mbit COMS Sram Memory Chip เอมโมรี่การเข้าสุ่มสแตตติก CY7C1019DV33-10VXI

1Mbit COMS Sram Memory Chip เอมโมรี่การเข้าสุ่มสแตตติก CY7C1019DV33-10VXI

ผู้ผลิต:: อินฟินิออน

ประเภทสินค้า:: แรม

ขนาดหน่วยความจำ:: 1 เมกะบิต

องค์กร:: 128 กx 8
ชิป SRAM สแตติก 18Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI

ชิป SRAM สแตติก 18Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI

ผู้ผลิต:: อินฟินิออน

ประเภทสินค้า:: แรม

ขนาดหน่วยความจำ:: 18 เมกะบิต

องค์กร:: 512 kx 36
เกี่ยวกับ

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

75520LE 11800ALM CPLD อาร์เรย์ตรรกะอุปกรณ์ที่ตั้งโปรแกรมได้ภาคสนาม XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array ชิปอุปกรณ์ตรรกะแบบตั้งโปรแกรมได้ XC6SLX9-2CSG324I

ชิป Cpld 2 ตัว ขนาด 32 KB ชิปตรรกะแบบตั้งโปรแกรมได้ 85000LE XC7Z020-2CLG484I

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู จําหน่าย. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.