512k X 16 SRAM ชิป IS62WV51216BLL-55TLI CMOS ความดันต่ํา

512K x 16 แรงดันไฟฟ้าต่ำพิเศษพลังงานต่ำ CMOS แบบคงที่การเข้าถึงหน่วยความจำ SRAM IS62WV51216BLL-55TLI

• เวลาการเข้าถึงความเร็วสูง: 45ns, 55ns
• การทำงานของ CMOS ต่ำ: 36 MW (ทั่วไป) การทำงาน, 12 µW (ทั่วไป) CMOS Standby
• ระดับอินเตอร์เฟสที่เข้ากันได้ของ TTL
• แหล่งจ่ายไฟเดี่ยว: 2.5V-3.6V VDD (62WV51216BLL)
• การทำงานแบบคงที่อย่างสมบูรณ์: ไม่จำเป็นต้องมีนาฬิกาหรือรีเฟรช
• เอาต์พุตสามสถานะ
• การควบคุมข้อมูลสำหรับไบต์บนและล่าง
• มีอุณหภูมิอุตสาหกรรม
• ไม่มีตะกั่ว

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL เป็น RAM ความเร็วสูง 8M บิตที่จัดเป็นคำ 512K โดย 16 บิต มันถูกประดิษฐ์ขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี CMOS ประสิทธิภาพสูงของ ISSI กระบวนการที่เชื่อถือได้สูงนี้ควบคู่ไปกับเทคนิคการออกแบบวงจรนวัตกรรมให้ประสิทธิภาพสูงและอุปกรณ์การใช้พลังงานต่ำ

เมื่อ CS1 สูง (ยกเลิกการเลือก) หรือเมื่อ CS2 ต่ำ (แยกออกจากกัน) หรือเมื่อ CS1 ต่ำ CS2 จะสูงและทั้ง LB และ UB มีค่าสูงอุปกรณ์จะถือว่าโหมดสแตนด์บายซึ่งการกระจายกำลังสามารถลดลงได้ด้วยระดับอินพุต CMOS

การขยายหน่วยความจำง่ายมีให้โดยใช้การเปิดใช้งานชิปและเอาต์พุตเปิดใช้งานอินพุต การเขียนการเขียนต่ำที่ใช้งานอยู่ต่ำ (WE) ควบคุมทั้งการเขียนและการอ่านหน่วยความจำ ไบต์ข้อมูลช่วยให้การเข้าถึงไบต์บน (UB) และการเข้าถึงไบต์ล่าง (LB)

IS62WV51216ALL และ IS62WV51216BLL ได้รับการบรรจุใน JEDEC มาตรฐาน 48-PIN MINI BGA (7.2 มม. x 8.7 มม.) และ 44-pin TSOP (Type II)

• บรรจุภัณฑ์ส่งออกมาตรฐาน
• ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกล่องไม้และพาเลทไม้ตามความต้องการของตนเอง