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| 제품 카탈로그: | 메모리> 정적 랜덤 액세스 메모리 (SRAM) | 보편적 포장: | TSOP-44 |
|---|---|---|---|
| ROHS: | 순응성 | 설치 방법: | 표면 실장 설치 |
| 작동 온도: | -40 ℃ ~ -85 ℃ | 길이 * 너비 * 높이: | - |
| 응용 프로그램 등급: | 공업적 등급 | 패키징 방법: | 팔레트 |
| 강조하다: | 512k X 16 SRAM 칩,SRAM 칩,IS62WV51216BLL-55TLI |
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| 속성 | 값 |
|---|---|
| 제품 카탈로그 | 메모리 > 정적 램덤 액세스 메모리 (SRAM) |
| 범용 포장 | TSOP-44 |
| RoHS | 준수 |
| 설치 방법 | 표면 실장 설치 |
| 작동 온도 | -40℃~85℃ |
| 응용 분야 등급 | 산업 등급 |
| 포장 방법 | 팔레트 |
| 최소 작동 전원 전압 | 2.5V |
| 구성 | 512k x 16 |
| 데이터 버스 폭 | 16비트 |
| 인터페이스 유형 | 병렬 |
| 저장 용량 | 8Mb (512K x 16) |
| 최대 공급 전류 | 5mA |
| 최대 작동 전원 전압 | 3.6V |
512K x 16 저전압 초저전력 CMOS 정적 램덤 액세스 메모리 SRAM IS62WV51216BLL-55TLI
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL은 512K 단어 x 16비트로 구성된 고속 8M 비트 정적 RAM입니다. ISSI의 고성능 CMOS 기술을 사용하여 제조되었습니다. 이 매우 신뢰할 수 있는 프로세스는 혁신적인 회로 설계 기술과 결합되어 고성능 및 저전력 소비 장치를 제공합니다.
CS1이 HIGH(비활성화)이거나 CS2가 LOW(비활성화)이거나 CS1이 LOW, CS2가 HIGH이고 LB와 UB가 모두 HIGH일 때 장치는 CMOS 입력 레벨로 전력 소모를 줄일 수 있는 대기 모드로 들어갑니다.
칩 활성화 및 출력 활성화 입력을 사용하여 메모리 확장이 용이합니다. 활성 LOW 쓰기 활성화(WE)는 메모리의 쓰기 및 읽기를 모두 제어합니다. 데이터 바이트는 상위 바이트(UB) 및 하위 바이트(LB) 액세스를 허용합니다.
IS62WV51216ALL 및 IS62WV51216BLL은 JEDEC 표준 48핀 미니 BGA(7.2mm x 8.7mm) 및 44핀 TSOP(TYPE II)로 패키징됩니다.
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