512k X 16 SRAM Chip IS62WV51216BLL-55TLI CMOS Tegangan Rendah

512K x 16 Low Voltage ULTRA Low Power CMOS Static Random Access Memory SRAM IS62WV51216BLL-55TLI

• Waktu akses kecepatan tinggi: 45ns, 55ns
• Operasi daya rendah CMOS: 36 mW (tipis) operasi, 12 μW (tipis) CMOS standby
• Tingkat antarmuka yang kompatibel dengan TTL
• Sumber daya tunggal: 2,5V-3,6V VDD (62WV51216BLL)
• Operasi statis sepenuhnya: tidak diperlukan jam atau refresh
• Hasil tiga negara bagian
• Kontrol data untuk byte atas dan bawah
• Suhu industri yang tersedia
• Tersedia bebas timbal

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL adalah RAM statis berkecepatan tinggi, 8M bit yang diatur sebagai 512K kata dengan 16 bit.Proses yang sangat dapat diandalkan ini ditambah dengan teknik desain sirkuit inovatif menghasilkan perangkat berkinerja tinggi dan konsumsi daya rendah.

Ketika CS1 adalah HIGH (dihapus) atau ketika CS2 adalah LOW (dihapus) atau ketika CS1 adalah LOW, CS2 adalah HIGH dan LB dan UB adalah HIGH,perangkat mengasumsikan modus siaga di mana disipasi daya dapat dikurangi ke bawah dengan tingkat input CMOS.

Peningkatan memori yang mudah disediakan dengan menggunakan input Chip Enable dan Output Enable.Sebuah byte data memungkinkan Upper Byte (UB) dan Lower Byte (LB) akses.

IS62WV51216ALL dan IS62WV51216BLL dikemas dalam standar JEDEC 48-pin mini BGA (7,2mm x 8,7mm) dan 44-pin TSOP (TYPE II).

• Kemasan standar ekspor
• Pelanggan dapat memilih dari karton, kotak kayu dan palet kayu sesuai dengan kebutuhan mereka sendiri