تراشه SRAM با اندازه 512k X 16 مدل IS62WV51216BLL-55TLI CMOS با ولتاژ پایین

512K x 16 ولتاژ پایین قدرت بسیار پایین CMOS حافظه دسترسی تصادفی استاتیک SRAM IS62WV51216BLL-55TLI

• زمان دسترسی با سرعت بالا: 45ns، 55ns
• عملکرد کم مصرف CMOS: 36 مگاوات (معمولاً) در حالت کار، 12 مگاوات (معمولاً) در حالت ایستادگی CMOS
• سطوح رابط TTL سازگار
• منبع برق واحد: 2.5V-3.6V VDD (62WV51216BLL)
• عملکرد کاملاً استاتیک: بدون نیاز به ساعت یا تجدید
• تولیدات سه ایالت
• کنترل داده ها برای بایت های بالا و پایین
• دمای صنعتی در دسترس
• بدون سرب در دسترس

ISSI IS62WV51216ALL / IS62WV51216BLL RAM های ثابت 8M بیتی با سرعت بالا هستند که به صورت کلمات 512K با 16 بیت سازماندهی شده اند. این دستگاه با استفاده از فناوری CMOS با عملکرد بالا ISSI ساخته شده است.این فرآیند بسیار قابل اطمینان همراه با تکنیک های طراحی مدار نوآورانه باعث می شود دستگاه های با عملکرد بالا و مصرف انرژی کم.

هنگامی که CS1 بالا است (غیرمنتخب) یا زمانی که CS2 پایین است (غیرمنتخب) یا زمانی که CS1 پایین است، CS2 بالا است و هر دو LB و UB بالا هستند،دستگاه یک حالت آماده ای را در نظر می گیرد که در آن توان از بین رفتن را می توان با سطوح ورودی CMOS کاهش داد..

گسترش آسان حافظه با استفاده از ورودی های Chip Enable و Output Enable فراهم می شود. فعال LOW Write Enable (WE) هر دو نوشتن و خواندن حافظه را کنترل می کند.یک بایت داده امکان دسترسی به بایت بالا (UB) و بایت پایین (LB) را فراهم می کند.

IS62WV51216ALL و IS62WV51216BLL در استاندارد JEDEC 48 پین مینی BGA (7.2mm x 8.7mm) و 44 پین TSOP (TYPE II) بسته بندی شده اند.

• بسته بندی استاندارد صادرات
• مشتریان می توانند با توجه به نیازهای خود از کارتون ها، جعبه های چوبی و پالت های چوبی انتخاب کنند