512k X 16 SRAM Chip IS62WV51216BLL-55TLI CMOS Low Voltage

512K x 16 Niedrigspannung ULTRA-Niedrige Leistung CMOS statische Zufallsspeicher SRAM IS62WV51216BLL-55TLI

• Hochgeschwindigkeitszugriff: 45 ns, 55 ns
• CMOS-Niederleistungsbetrieb: 36 mW (typischer) Betrieb, 12 μW (typischer) CMOS-Standby
• TTL-kompatible Schnittstellenebenen
• Einzelne Stromversorgung: 2,5 V bis 3,6 V VDD (62WV51216BLL)
• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Aktualisierung erforderlich
• Drei staatliche Ausgänge
• Datenkontrolle für obere und untere Bytes
• Verfügbare industrielle Temperatur
• Bleifrei verfügbar

Die ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL sind 8M-Bit-statische RAMs mit hoher Geschwindigkeit, organisiert als 512K Wörter von 16 Bit.Dieses sehr zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Schaltkreisentwicklungstechniken erzeugt Geräte mit hoher Leistung und geringem Stromverbrauch.

Wenn CS1 HÖCH ist (abgeschaltet) oder wenn CS2 NICHT ist (abgeschaltet) oder wenn CS1 NICHT ist, ist CS2 NICHT und sowohl LB als auch UB NICHT,Das Gerät setzt einen Standby-Modus voraus, bei dem die Leistungsaufnahme mit CMOS-Eingabewerten reduziert werden kann..

Eine einfache Speichererweiterung erfolgt durch die Verwendung von Chip Enable und Output Enable-Eingängen.Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Oberbyte (UB) und Unterbyte (LB).

Die IS62WV51216ALL und IS62WV51216BLL sind in den JEDEC-Standard 48-Pin-Mini-BGA (7,2 mm x 8,7 mm) und 44-Pin-TSOP (TYPE II) verpackt.

• Standardverpackung für die Ausfuhr
• Kunden können nach eigenen Bedürfnissen aus Kartons, Holzkästen und Holzpaletten wählen