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2Mbit 10ns Sram Speicherchips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

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2Mbit 10ns Sram Speicherchips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

2Mbit 10ns Sram Speicherchips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI
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Großes Bild :  2Mbit 10ns Sram Speicherchips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

Produktdetails:
Herkunftsort: TWN
Markenname: Infineon
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: CY7C1011DV33-10ZSXI
Dokument: 9479AFB421709E466433D4AAEF7...3D.pdf
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: CONSULT WITH
Verpackung Informationen: T/R
Lieferzeit: 5-8day
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000
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2Mbit 10ns Sram Speicherchips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

Beschreibung
Hersteller:: INFINEON Produkt-Kategorie:: SRAM
Speichergröße:: 2 Mbit Organisation:: 128 k x 16
Paket/Fall:: TSOP-44 Feuchtigkeitsempfindlich:: - Ja, das ist es.
Reihe:: CY7C1011DV33 Werkspackungsmenge:: 675
Hervorheben:

2Mbit Sram Speicherchips

,

10ns Sram Speicherchips

,

CY7C1011DV33-10ZSXI

SRAM 2Mbit statischer RAM Hochleistungs-COMS statischer Zufallsspeicher CY7C1011DV33-10ZSXI
Produktspezifikationen
Eigenschaft Wert
Hersteller Infineon
Produktkategorie SRAM
Speichergröße 2 Mbit
Organisation 128 k x 16
Packung / Gehäuse TSOP-44
Feuchtigkeitsempfindlich - Ja, das ist es.
Reihe CY7C1011DV33
Fabrikverpackung 675
Wesentliche Merkmale
  • Pin und Funktion mit CY7C1010CV33 kompatibel
  • Höchstgeschwindigkeit: tAA = 10 ns
  • Niedrige Wirkleistung: ICC = 90 mA bei 10 ns
  • Niedrige CMOS-Standbyleistung: ISB2 = 10 mA
  • 2.0 V Datenspeicherung
  • Automatisches Herunterfahren, wenn ausgeschaltet
  • TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
  • Leichte Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
  • Erhältlich in Pb-freien 36-Pin-SOJ- und 44-Pin-TSOP-II-Paketen
Funktionsbeschreibung

Der CY7C1010DV33 ist ein leistungsstarker CMOS-statischer RAM, der als 256 K-Wörter auf 8 Bits organisiert ist.und drei-Zustand-Treiber.

Das Schreiben auf das Gerät erfolgt durch die Eingabe von Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW.Die Daten auf den acht E/A-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an den auf den Adresspins (A0 bis A17) angegebenen Stellen geschrieben..

Das Lesen aus dem Gerät erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) niedrig und Write Enable (WE) hoch gedrückt werden.der Inhalt der Speicherstelle, die durch die Adresspins angegeben wird, wird auf den I/O-Pins angezeigt.

Technische Spezifikation
Zugriffszeit 10 ns
Schnittstellentyp Parallel
Versorgungsspannungsbereich 3 V bis 3,6 V
Betriebstemperatur -40°C bis +85°C
Montageart SMD/SMT
Produktbilder
2Mbit 10ns Sram Speicherchips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI 0 2Mbit 10ns Sram Speicherchips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI 1 2Mbit 10ns Sram Speicherchips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI 2
Verpackung und Versand

Standard-Exportverpackungen sind erhältlich, Kunden können je nach Bedarf aus Kartons, Holzkästen und Holzpaletten wählen.

Häufig gestellte Fragen
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Kontaktdaten
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Ansprechpartner: Mr. Sun

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