Statischer 8Mbit-Chip Sram COMS Zufallsspeicher CY7C1051DV33-10ZSXIT

Der CY7C1051DV33 ist ein hochleistungsfähiger CMOS-statischer RAM, der als 512 K-Wörter von 16 Bit organisiert ist.

Um an das Gerät zu schreiben, nehmen Sie Chip Enable (CE) und schreiben Sie (wir) Eingänge niedrig. Wenn Byte Low Enable (BLE) niedrig ist, werden Daten aus E/A-Stiften (E/O0-I/O7) in den auf den Adressstiften angegebenen Ort (A0-A18) geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) niedrig ist, werden Daten von E/A-Stiften (E/O8-I/O15) in den auf den Adressstiften angegebenen Ort (A0-A18) geschrieben.

Um vom Gerät aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip aktivieren (CE) und Ausgangsaktivität (OE) niedrig, während Sie das Schreiben aktivieren (wir) hoch. Wenn Byte Low Enable (BLE) niedrig ist, werden Daten aus dem von den Adressstiften angegebenen Speicherort auf I/O0-I/O7 angegeben. Wenn Byte High Enable (BHE) niedrig ist, werden Daten aus dem Speicher auf I/O8 bis I/O15 angezeigt.

Die Eingangs-/Ausgangsnadeln (I/O0-I/O15) werden in einem Hochzeitszustand platziert, wenn das Gerät abgewiesen wird (CE hoch), die Ausgänge deaktiviert sind (OE hoch), die BHE und BLE sind deaktiviert (BLE, BLEHALT), oder ein Schreibvorgang (CE niedrig und wir sind niedrig).

Der CY7C1051DV33 ist in einem 44-poligen TSOP II-Paket mit Zentrum und Boden (revolutionär) und einem 48-Ball-FBGA-Paket erhältlich.

• Temperaturbereiche: -40 ° C bis 85 ° C
• Hohe Geschwindigkeit: Taa = 10 ns
• Niedrige aktive Leistung: ICC = 110 mA bei F = 100 MHz
• Niedrige CMOS -Standby -Leistung: ISB2 = 20 mA
• 2,0-V-Datenbindung
• Automatische Einführung beim Deaktivieren
• TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE -Funktionen
• Erhältlich in Pb-freien 48-Ball-FBGA- und 44-Pin-TSOP-II-Paketen

Nach der Standard -Exportverpackung. Kunden können aus Kartons, Holzhüllen und Holzpaletten entsprechend ihren eigenen Anforderungen wählen.