Στατική μνήμη SRAM 8Mbit Chip COMS Random Access Memory CY7C1051DV33-10ZSXIT

Το CY7C1051DV33 είναι μια υψηλής απόδοσης CMOS στατική μνήμη RAM οργανωμένη ως 512 K λέξεις με 16 bits.

Για να γράψετε στην συσκευή, πάρετε τις εισροές Chip Enable (CE) και Write Enable (WE) LOW. Εάν το Byte LOW Enable (BLE) είναι LOW, τότε τα δεδομένα από τις καρφίτσες I/O (I/O0-I/O7),εγγράφεται στη θέση που καθορίζεται στις καρφίτσες διεύθυνσης (A0-A18)Εάν η τιμή Byte HIGH Enable (BHE) είναι LOW, τότε τα δεδομένα από τις καρφίτσες I/O (I/O8-I/O15) γράφονται στην θέση που καθορίζεται στις καρφίτσες διευθύνσεων (A0-A18).

Για να διαβάσετε από τη συσκευή, πάρετε το Chip Enable (CE) και το Output Enable (OE) LOW ενώ πιέζετε το Write Enable (WE) HIGH.τότε τα δεδομένα από την τοποθεσία μνήμης που καθορίζεται από τις καρφίτσες διεύθυνσης εμφανίζεται στο I/O0-I/O7Εάν η τιμή Byte HIGH Enable (BHE) είναι LOW, τότε τα δεδομένα από τη μνήμη εμφανίζονται σε I/O8 έως I/O15.

Οι καρφίτσες εισόδου/εξόδου (I/O0-I/O15) τοποθετούνται σε κατάσταση υψηλής αντίστασης όταν η διάταξη είναι απενεργοποιημένη (CE HIGH), οι εξόδοι απενεργοποιούνται (OE HIGH), το BHE και το BLE απενεργοποιούνται (BHE, BLE HIGH),ή εγγραφή (CE LOW), και WE LOW) βρίσκεται σε εξέλιξη.

Το CY7C1051DV33 είναι διαθέσιμο σε ένα πακέτο TSOP II 44-pin με κεντρική ισχύ και γήπεδο (επαναστατικό) και ένα πακέτο FBGA 48-ball.

• Περιοχές θερμοκρασίας: -40°C έως 85°C
• Υψηλή ταχύτητα: tAA = 10 ns
• Μικρή ενεργή ισχύς: ICC = 110 mA σε f = 100 MHz
• Μικρή ισχύς αναμονής CMOS: ISB2 = 20 mA
• 2.0-V διατήρηση δεδομένων
• Αυτόματη απενεργοποίηση όταν είναι απενεργοποιημένη
• Εισόδους και εξόδους συμβατές με το TTL
• Εύκολη επέκταση μνήμης με χαρακτηριστικά CE και OE
• Διατίθεται σε συσκευασίες FBGA 48-ball και TSOP II 44-pin χωρίς Pb

Σύμφωνα με την τυποποιημένη συσκευασία εξαγωγής, οι πελάτες μπορούν να επιλέξουν από χαρτόνια, ξύλινες θήκες και ξύλινες παλέτες σύμφωνα με τις δικές τους απαιτήσεις.