La mémoire d'accès aléatoire COMS est une mémoire statique de 8 Mbit

Le CY7C1051DV33 est une mémoire vive statique CMOS haute performance organisée en 512 K de mots par 16 bits.

Pour écrire sur l'appareil, prenez les entrées LOW de Chip Enable (CE) et Write Enable (WE).est inscrit à l'emplacement indiqué sur les broches d'adresse (A0-A18). Si l'option Byte HIGH Enable (BHE) est LOW, les données des broches d'E/S (I/O8-I/O15) sont écrites à l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0-A18).

Pour lire à partir de l'appareil, prenez Chip Enable (CE) et Output Enable (OE) LOW tout en forçant l'Ecriture Enable (WE) HIGH.alors les données de l'emplacement de mémoire spécifié par les broches d'adresse apparaissent sur I/O0-I/O7. Si l'option Byte HIGH Enable (BHE) est LOW, alors les données de la mémoire s'affichent sur I/O8 à I/O15.

Les broches d'entrée/sortie (I/O0-I/O15) sont placées dans un état d'impédance élevée lorsque le dispositif est désactivé (CE HIGH), les sorties sont désactivées (OE HIGH), le BHE et le BLE sont désactivés (BHE, BLE HIGH),ou une opération d'écriture (CE LOW, et WE LOW) est en cours.

Le CY7C1051DV33 est disponible dans un package TSOP II de 44 broches avec puissance centrale et pinotation au sol (révolutionnaire) et un package FBGA de 48 boules.

• Plage de température: -40°C à 85°C
• Velocité élevée: tAA = 10 ns
• Faible puissance active: ICC = 110 mA à f = 100 MHz
• Faible puissance en veille CMOS: ISB2 = 20 mA
• 2Rétention des données.0-V
• Éteindre automatiquement lorsque la fonction est désactivée
• Les entrées et sorties compatibles avec TTL
• Extension facile de la mémoire avec des fonctionnalités CE et OE
• Disponible dans des paquets FBGA à 48 boules et TSOP II à 44 broches sans Pb

Selon l'emballage d'exportation standard, les clients peuvent choisir parmi des cartons, des boîtiers en bois et des palettes en bois selon leurs propres besoins.