หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบสแตติก 8Mbit ชิป Sram COMS CY7C1051DV33-10ZSXIT

CY7C1051DV33 เป็น RAM CMOS Static ที่มีประสิทธิภาพสูง จัดเป็นคํา 512 K โดย 16 บิต

เพื่อเขียนต่ออุปกรณ์, นํา Chip Enable (CE) และ Write Enable (WE) เข้า LOW. หาก Byte LOW Enable (BLE) เป็น LOW, จากนั้นข้อมูลจากปิน I/O (I/O0-I/O7),เขียนลงในตําแหน่งที่ระบุบนปินที่อยู่ (A0-A18). หาก Byte HIGH Enable (BHE) เป็น LOW แล้วข้อมูลจากปิน I/O (I/O8-I/O15) จะถูกเขียนลงในตําแหน่งที่กําหนดไว้บนปินที่อยู่ (A0-A18)

เพื่ออ่านจากอุปกรณ์, ใช้ Chip Enable (CE) และ Output Enable (OE) LOW ขณะที่บังคับ Write Enable (WE) HIGH หาก Byte LOW Enable (BLE) เป็น LOWจากนั้นข้อมูลจากที่ตั้งความจําที่กําหนดโดยปินที่อยู่จะปรากฏบน I/O0-I/O7. หาก Byte HIGH Enable (BHE) เป็น LOW, แล้วข้อมูลจากความจําจะปรากฏใน I/O8 ถึง I/O15

ปินการเข้า/การออก (I/O0-I/O15) ลงอยู่ในภาวะความขัดขวางสูงเมื่ออุปกรณ์ถูกตัดการเลือก (CE HIGH) การออกถูกปิด (OE HIGH) BHE และ BLE ถูกปิด (BHE, BLE HIGH)หรือการเขียน (CE LOWและ WE LOW) กําลังดําเนินการอยู่

CY7C1051DV33 มีในแพคเกจ TSOP II 44 ปินที่มีพลังงานกลางและพื้นดิน (ปฏิวัติ) และแพคเกจ FBGA 48 ลูก

• ระยะอุณหภูมิ: -40°C ถึง 85°C
• ความเร็วสูง: tAA = 10 ns
• พลังงานทํางานต่ํา: ICC = 110 mA ที่ f = 100 MHz
• พลังงานรอคอย CMOS ต่ํา: ISB2 = 20 mA
• 2การเก็บข้อมูล 0-V
• การปิดไฟโดยอัตโนมัติเมื่อถอนการเลือก
• การเข้าและการออกที่สอดคล้อง TTL
• การขยายความทรงจําง่ายด้วยคุณสมบัติ CE และ OE
• มีในแบบ FBGA ขนาด 48 ลูกและแบบ TSOP II ขนาด 44 ปินที่ไม่มี Pb

ตามการบรรจุส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกล่อง กล่องไม้ และพัลเล็ตไม้ ตามความต้องการของตนเอง