Statyczny układ scalony SRAM 8Mbit COMS Pamięć o dostępie swobodnym CY7C1051DV33-10ZSXIT

CY7C1051DV33 to wysokowydajna pamięć RAM CMOS Static zorganizowana jako 512 K słów na 16 bitów.

Aby pisać do urządzenia, weź Chip Enable (CE) i Write Enable (WE) wejścia LOW. Jeśli byte LOW Enable (BLE) jest LOW, to dane z pinów I/O (I/O0-I/O7),jest zapisana w miejscu określonym na szpilkach adresowych (A0-A18)Jeśli byte HIGH Enable (BHE) jest NISZKA, dane z pinów I/O (I/O8-I/O15) są zapisywane w miejscu określonym na pinach adresowych (A0-A18).

Aby odczytać z urządzenia, weź Chip Enable (CE) i Output Enable (OE) LOW, a w tym samym czasie zmusić do zapisania Enable (WE) HIGH.Następnie dane z lokalizacji pamięci określonej przez szpilki adresowe pojawiają się na I/O0-I/O7. Jeśli byte HIGH Enable (BHE) jest niskie, dane z pamięci pojawiają się na poziomie I/O8 do I/O15.

Przy wyłączeniu urządzenia przyciski wejściowe/wyjściowe (I/O0-I/O15) umieszczane są w stanie wysokiej impedancji (CE HIGH), wyjścia wyłączone (OE HIGH), BHE i BLE wyłączone (BHE, BLE HIGH),lub operacji zapisu (CE LOW), a WE LOW) jest w toku.

CY7C1051DV33 jest dostępny w 44-kolistym pakiecie TSOP II z centralnym zasilaniem i naziemnym (rewolucyjnym) wyciągiem oraz w 48-kulistym pakiecie FBGA.

• Zakres temperatury: -40°C do 85°C
• Wysoka prędkość: tAA = 10 ns
• Niska moc aktywna: ICC = 110 mA przy f = 100 MHz
• Niska moc czuwania CMOS: ISB2 = 20 mA
• 2.0-V przechowywanie danych
• Automatyczne wyłączenie w przypadku wyłączenia
• Wpływy i wyjścia zgodne z TTL
• Łatwe rozszerzanie pamięci z funkcjami CE i OE
• Dostępne w pakietach FBGA o 48 kulkach i TSOP II o 44 szpilkach bez Pb

Zgodnie ze standardowym opakowaniem eksportowym klienci mogą wybierać z kartonów, drewnianych pudełek i drewnianych palet zgodnie z własnymi wymaganiami.