حافظه ی دسترسی تصادفی COMS CY7C1051DV33-10ZSXIT

CY7C1051DV33 یک رم استاتیک CMOS با کارایی بالا است که به عنوان 512 K کلمات توسط 16 بیت سازماندهی شده است.

برای نوشتن به دستگاه ، CHIP Enable (CE) را بگیرید و ورودی های فعال (WE) را کم کنید. اگر بایت Low Enable (BLE) کم باشد ، داده های مربوط به پین های I/O (I/O0-I/O7) ، در مکان مشخص شده در پین های آدرس (A0-A18) نوشته شده است. اگر بایت بالا فعال شود (BHE) کم است ، داده های مربوط به پین های I/O (I/O8-I/O15) در مکان مشخص شده در پین های آدرس (A0-A18) نوشته شده است.

برای خواندن از دستگاه ، هنگام مجبور کردن نوشتن فعال (WE) بالا ، Enable (CE) را فعال کرده و خروجی فعال (OE) را کم کنید. اگر بایت Low Enable (BLE) کم باشد ، داده ها از محل حافظه مشخص شده توسط پین های آدرس در I/O0-I/O7 ظاهر می شوند. اگر بایت High Enable (BHE) کم باشد ، داده های حافظه در I/O8 تا I/O15 ظاهر می شوند.

پین های ورودی/خروجی (I/O0-I/O15) در هنگام عدم انتخاب دستگاه در حالت امپدانس بالا قرار می گیرند (CE High) ، خروجی ها غیرفعال می شوند (OE بالا) ، Bhe و BLE غیرفعال می شوند (Bhe ، Ble High) یا یک عملیات نوشتن (کم کم) و ما کم است) و در حال انجام است.

CY7C1051DV33 در یک بسته 44 پین TSOP II با قدرت مرکز و زمین (انقلابی) و یک بسته FBGA 48 توپ موجود است.

• دامنه دما: -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد
• سرعت بالا: TAA = 10 نانومتر
• قدرت فعال کم: ICC = 110 میلی آمپر در F = 100 مگاهرتز
• قدرت آماده به کار CMOS کم: ISB2 = 20 میلی آمپر
• حفظ داده های 2.0-V
• برق اتوماتیک در هنگام انتخاب غیرقانونی
• ورودی ها و خروجی های سازگار با TTL
• گسترش حافظه آسان با ویژگی های CE و OE
• در بسته های 48 توپ بدون PB و 44 پین TSOP II موجود است

با توجه به بسته بندی استاندارد صادرات. مشتریان می توانند با توجه به نیازهای خاص خود ، از کارتن ، موارد چوبی و پالت های چوبی انتخاب کنند.