제품 상세 정보:
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제조사 :: | 인피네온 | 상품 카테고리 :: | SRAM |
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메모리 용량 :: | 8 메가비트 | 조직:: | 512 kx 16 |
패키지 / 건 :: | TSOP-44 | 수분 민감성:: | 그래요 |
시리즈 :: | CY7C1051DV33 | 공장 팩 수량:: | 1000 |
강조하다: | 정적 8Mbit 칩 스램,512k 칩 스램,CY7C1051DV33-10ZSXIT |
제조사: | 인피니온 |
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제품 카테고리 | SRAM |
메모리 크기: | 8 Mbit |
조직: | 512k x 16 |
패키지 / 케이스: | TSOP-44 |
습도에 민감함: | 네 |
시리즈: | CY7C1051DV33 |
공장 포장량: | 1000 |
CY7C1051DV33는 16비트로 512K 단어로 구성된 고성능 CMOS 정적 RAM이다.
장치에 기록하려면 칩 Enable (CE) 및 Write Enable (WE) 입력 LOW를 가져가십시오. 바이트 LOW Enable (BLE) 가 LOW인 경우 I/O 핀 (I/O0-I/O7) 의 데이터가 입력됩니다.주소 핀 (A0-A18) 에 지정된 위치에 기록됩니다.. 바이트 HIGH Enable (BHE) 가 LOW인 경우, I/O 핀 (I/O8-I/O15) 에서의 데이터가 주소 핀 (A0-A18) 에 지정된 위치에 기록됩니다.
장치에서 읽기 위해, 칩 활성화 (CE) 및 출력 활성화 (OE) 로우를 가져와 기록 활성화 (WE) 로우를 강요합니다. 바이트 로우 활성화 (BLE) 로우가 있다면,그러면 주소 핀에 의해 지정된 메모리 위치에서 데이터가 I/O0-I/O7에 표시됩니다. 바이트 HIGH Enable (BHE) 가 LOW인 경우, 메모리에서 I/O8에서 I/O15로 데이터가 표시됩니다.
입력/출력 핀 (I/O0-I/O15) 은 장치가 선택되지 않을 때 높은 임피던스 상태로 배치됩니다 (CE HIGH), 출력은 비활성화됩니다 (OE HIGH), BHE와 BLE는 비활성화됩니다 (BHE, BLE HIGH),또는 기록 작업 (CE LOW), 그리고 WE LOW) 가 진행 중입니다.
CY7C1051DV33는 중앙 전력 및 지상 (혁명적) 핀아웃과 48 볼 FBGA 패키지로 44 핀 TSOP II 패키지로 제공됩니다.
표준 수출 포장에 따라 고객들은 자신의 요구에 따라 카튼, 나무 케이스 및 나무 팔렛을 선택할 수 있습니다.
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