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| 製造業者:: | INFINEON | 製品カテゴリ:: | SRAM |
|---|---|---|---|
| メモリサイズ:: | 8 Mbit | 組織:: | 512k x 16 |
| パッケージ/場合:: | TSOP-44 | 湿気に敏感:: | そうだ |
| シリーズ:: | CY7C1051DV33 | 工場パック数量:: | 1000 |
| ハイライト: | 静的8Mbitチップの破片,512kチップスラム,CY7C1051DV33-10ZSXIT |
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| メーカー: | Infineon |
|---|---|
| 製品カテゴリ: | SRAM |
| メモリサイズ: | 8 Mbit |
| 構成: | 512 k x 16 |
| パッケージ/ケース: | TSOP-44 |
| 湿度への感度: | はい |
| シリーズ: | CY7C1051DV33 |
| 工場パック数量: | 1000 |
CY7C1051DV33は、512 Kワード x 16ビットで構成された高性能CMOSスタティックRAMです。
デバイスに書き込むには、チップイネーブル（CE）とライトイネーブル（WE）入力をLOWにします。バイトLOWイネーブル（BLE）がLOWの場合、I/Oピン（I/O0-I/O7）からのデータは、アドレスピン（A0-A18）で指定された場所に書き込まれます。バイトHIGHイネーブル（BHE）がLOWの場合、I/Oピン（I/O8-I/O15）からのデータは、アドレスピン（A0-A18）で指定された場所に書き込まれます。
デバイスから読み出すには、チップイネーブル（CE）と出力イネーブル（OE）をLOWにし、ライトイネーブル（WE）をHIGHにします。バイトLOWイネーブル（BLE）がLOWの場合、アドレスピンで指定されたメモリロケーションからのデータがI/O0-I/O7に表示されます。バイトHIGHイネーブル（BHE）がLOWの場合、メモリからのデータがI/O8からI/O15に表示されます。
デバイスが非選択状態（CE HIGH）、出力が無効（OE HIGH）、BHEとBLEが無効（BHE、BLE HIGH）、または書き込み操作（CE LOW、WE LOW）が進行中の場合、入出力ピン（I/O0-I/O15）は高インピーダンス状態になります。
CY7C1051DV33は、センターパワーとグランド（革新的）ピン配置の44ピンTSOP IIパッケージと48ボールFBGAパッケージで利用できます。
標準的な輸出梱包に従います。お客様は、ご自身の要件に応じて、カートン、木製ケース、木製パレットから選択できます。
通常、お問い合わせを受け取ってから24時間以内（週末と祝日を除く）に見積もりを行います。価格を緊急に必要とする場合は、メールを送信するか、他の方法でご連絡ください。そうすれば、見積もりを提供できます。
これは、注文の数量と注文する季節によって異なります。通常、7〜15日以内（少量の場合）に商品を発送できます。大量の場合は、約30日かかります。
工場価格、30％のデポジット、出荷前の70％T/T支払い。
海上、航空、または速達（EMS、UPS、DHL、TNT、FEDEXなど）で輸送できます。ご注文前にご確認ください。
お客様に利益をもたらすために、高品質で競争力のある価格を維持しています。すべてのお客様を友人として尊重しています。どこから来たとしても、誠実にビジネスを行い、友人になります。
コンタクトパーソン: Mr. Sun
電話番号: 18824255380
