SRAM COMS de 8Mbit estático, Memória de Acesso Aleatório CY7C1051DV33-10ZSXIT

O CY7C1051DV33 é uma RAM estática CMOS de alto desempenho organizada como 512 K palavras por 16 bits.

Para gravar no dispositivo, tome as entradas Chip Enable (CE) e Write Enable (WE) LOW. Se o Byte LOW Enable (BLE) for LOW, então os dados dos pinos de E/S (I/O0-I/O7),É escrito no local especificado nos pinos de endereço (A0-A18)Se o Byte HIGH Enable (BHE) for LOW, então os dados dos pins de E/S (I/O8-I/O15) são escritos no local especificado nos pins de endereço (A0-A18).

Para ler a partir do dispositivo, tome Chip Enable (CE) e Output Enable (OE) LOW enquanto força o Write Enable (WE) HIGH.em seguida, os dados da localização da memória especificada pelos pins de endereço aparece em I/O0-I/O7. Se o Byte HIGH Enable (BHE) for LOW, então os dados da memória aparecem em I/O8 a I/O15.

Os pinos de entrada/saída (I/O0-I/O15) são colocados num estado de alta impedância quando o dispositivo é desactivado (CE HIGH), as saídas são desactivadas (OE HIGH), o BHE e o BLE são desactivados (BHE, BLE HIGH),ou uma operação de gravação (CE LOW), e WE LOW) está em curso.

O CY7C1051DV33 está disponível em um pacote TSOP II de 44 pinos com central de energia e pinout de terra (revolucionário) e um pacote FBGA de 48 bolas.

• Intervalos de temperatura: -40°C a 85°C
• Alta velocidade: tAA = 10 ns
• Força ativa baixa: ICC = 110 mA a f = 100 MHz
• Força de espera CMOS baixa: ISB2 = 20 mA
• 2.0-V retenção de dados
• Desligação automática quando desmarcada
• Entradas e saídas compatíveis com o TTL
• Expansão de memória fácil com recursos CE e OE
• Disponível em pacotes FBGA de 48 bolas e TSOP II de 44 pinos sem Pb

De acordo com a embalagem de exportação padrão, os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com as suas próprias necessidades.