Chip de memória SRAM COMS de 1 Mbit, memória estática de acesso aleatório CY7C1019DV33-10VXI

• Pin- e compatível com a função com CY7C1018CV33 e CY7C1019CV33
• Alta velocidade: taa = 10 ns
• Baixa potência ativa: ICC = 60 mA a 10 ns
• Power de espera de baixo CMOS: ISB2 = 3 mA
• 2.0 V Retenção de dados
• Descarga automática quando desmarcada
• CMOS para velocidade/energia ideal
• Power/pinagem central de energia/aterramento
• Expansão fácil de memória com opções CE e OE
• Disponível em pacotes moldados de 32 pinos de 32 pinos de 400 milhões, pacotes de 32 pinos TSOP II e 48 bolas VFBGA

O CY7C1018DV33/CY7C1019DV33 é uma aríete estática CMOS de alto desempenho, organizada como 131.072 palavras por 8 bits. A expansão fácil da memória é fornecida por um chip ativo de baixo limite (CE), uma saída baixa ativa (OE) e drivers de três estados. Este dispositivo possui um recurso de despensa automática que reduz significativamente o consumo de energia quando desmarcada.

A gravação no dispositivo é realizada pegando o chip atabilable (CE) e a gravação de inable (nós) insumos baixos. Os dados sobre os oito pinos de E/S (E/O0 a I/O7) são então gravados no local especificado nos pinos de endereço (A0 a A16).

A leitura do dispositivo é realizada pegando o chip atabilable (CE) e a saída Ativar (OE) baixo enquanto forçando a escrita ativa (nós) alta. Nessas condições, o conteúdo do local da memória especificado pelos pinos de endereço aparecerá nos pinos de E/S.

Embalagem de exportação padrão disponível. Os clientes podem escolher caixas, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com seus requisitos.