1Mbit COMS Sram मेमोरी चिप स्टैटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी CY7C1019DV33-10VXI

• CY7C1018CV33 और CY7C1019CV33 के साथ पिन और फ़ंक्शन संगत
• उच्च गतिः tAA = 10 ns
• कम सक्रिय शक्तिः ICC = 60 mA @ 10 ns
• कम CMOS स्टैंडबाय पावरः ISB2 = 3 mA
• 2.0 V डेटा का भंडारण
• अनचेक होने पर स्वचालित पावर-आउट
• इष्टतम गति/शक्ति के लिए सीएमओएस
• केंद्र शक्ति/भूमि पिनआउट
• सीई और ओई विकल्पों के साथ आसान मेमोरी विस्तार
• पीबी मुक्त 32-पिन 400-मिल चौड़े मोल्ड SOJ, 32-पिन TSOP II और 48-बॉल VFBGA पैकेज में उपलब्ध है

CY7C1018DV33/CY7C1019DV33 एक उच्च प्रदर्शन CMOS स्थिर रैम है जिसे 8 बिट्स द्वारा 131,072 शब्दों के रूप में व्यवस्थित किया गया है। एक सक्रिय लो चिप सक्षम (सीई) द्वारा आसान मेमोरी विस्तार प्रदान किया जाता है,एक सक्रिय कम आउटपुट सक्षम (OE), और तीन-राज्य ड्राइवर. इस डिवाइस में एक स्वचालित पावर-डाउन सुविधा है जो अनसेलेक्ट होने पर बिजली की खपत को काफी कम करती है.

डिवाइस पर लेखन चिप सक्षम (सीई) और लेखन सक्षम (WE) इनपुट को कम करके किया जाता है।आठ I/O पिन (I/O0 से I/O7) पर डेटा तब पता पिन (A0 से A16) पर निर्दिष्ट स्थान में लिखा जाता है.

डिवाइस से पढ़ना चिप सक्षम (सीई) और आउटपुट सक्षम (ओई) लो ले कर पूरा किया जाता है जबकि लेखन सक्षम (WE) उच्च को मजबूर करना। इन शर्तों के तहत,पता पिन द्वारा निर्दिष्ट स्मृति स्थान की सामग्री आई/ओ पिन पर दिखाई देगी.

मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के मामले और लकड़ी के पैलेट से चुन सकते हैं।