Puce de mémoire SRAM COMS 1Mbit, mémoire vive statique CY7C1019DV33-10VXI

• Pin- et fonction compatible avec CY7C1018CV33 et CY7C1019CV33
• Haute vitesse: TAA = 10 ns
• Faible puissance active: ICC = 60 mA @ 10 ns
• POWER DE SUPPORT CMOS BASSE: ISB2 = 3 MA
• 2,0 V Rétention des données
• Puissance automatique lorsqu'elle est désélectionnée
• CMOS pour une vitesse / puissance optimale
• POSION CENTRE / PINOT OFFRE
• Extension facile de la mémoire avec les options CE et OE
• Disponible en PB sans PB de 32 broches de 400 mil de large SOJ moulé, packages VFBGA TSOP II et 48 balles à 32 broches

Le CY7C1018DV33 / CY7C1019DV33 est une RAM statique CMOS haute performance organisée comme 131 072 mots par 8 bits. L'expansion facile de la mémoire est fournie par une activité de puce basse active (CE), une activité à faible sortie active (OE) et des pilotes à trois états. Cet appareil a une fonction de mise à jour automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsqu'elle est désélectionnée.

L'écriture sur l'appareil est réalisée en prenant des entrées de puce (CE) et des entrées de rédaction (nous) faibles. Les données sur les huit broches d'E / S (E / O0 à I / O7) sont ensuite écrites dans l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A16).

La lecture de l'appareil est réalisée en prenant la puce enable (CE) et en activité (OE) faible tout en forçant l'écriture enable (nous) élevés. Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement de la mémoire spécifiée par les broches d'adresse apparaîtra sur les broches d'E / S.

Emballage d'exportation standard disponible. Les clients peuvent choisir parmi les cartons, les étuis en bois et les palettes en bois en fonction de leurs besoins.