512k X 16 SRAM Puce IS62WV51216BLL-55TLI CMOS à basse tension

512k x 16 Mémoire d'accès aléatoire statique à basse tension ultra-faible puissance

• Temps d'accès à grande vitesse: 45ns, 55ns
• CMOS Low Power Operation: 36 MW (typique) Fonctionnement, 12 µW (typique) CMOS veille CMOS
• Niveaux d'interface compatibles TTL
• Alimentation unique: 2,5 V - 3,6 V VDD (62WV51216BLL)
• Fonctionnement entièrement statique: pas d'horloge ou de rafraîchissement requis
• Trois sorties d'état
• Contrôle des données pour les octets supérieurs et inférieurs
• Température industrielle disponible
• Disponible sans plomb disponible

L'ISSI IS62WV51216ALL / IS62WV51216BLL est des béliers statiques à grande vitesse et de 8 m de bit organisés en 512k de mots par 16 bits. Il est fabriqué à l'aide de la technologie CMOS haute performance d'ISSI. Ce processus très fiable couplé à des techniques de conception de circuits innovantes offre des performances élevées et des dispositifs de consommation d'énergie faible.

Lorsque CS1 est élevé (désélectionné) ou lorsque CS2 est faible (désélectionné) ou lorsque CS1 est faible, CS2 est élevé et LB et UB sont élevés, l'appareil suppose un mode de veille auquel la dissipation de puissance peut être réduite avec les niveaux d'entrée CMOS.

L'expansion de mémoire facile est fournie en utilisant les entrées d'activation de puce et de sortie. L'activation de l'écriture basse active (nous) contrôle à la fois l'écriture et la lecture de la mémoire. Un octet de données permet l'octet supérieur (UB) et l'octet inférieur (LB).

Les IS62WV51216AL et IS62WV51216BLL sont emballés dans le mini BGA JEDEC à 48 broches (7,2 mm x 8,7 mm) et TSOP à 44 broches (type II).

• Emballage d'exportation standard
• Les clients peuvent choisir parmi les cartons, les étuis en bois et les palettes en bois en fonction de leurs propres exigences