512k X 16 SRAM Chip IS62WV51216BLL-55TLI CMOS Baja tensión

512K x 16 de baja tensión de potencia muy baja CMOS Memoria de acceso aleatorio estático SRAM IS62WV51216BLL-55TLI

• Tiempo de acceso de alta velocidad: 45 ns, 55 ns
• Función de bajo consumo CMOS: 36 mW (típico) en funcionamiento, 12 μW (típico) en modo de espera CMOS
• Niveles de interfaz compatibles con el TTL
• La fuente de alimentación única: 2,5 V a 3,6 V VDD (62WV51216BLL)
• Funcionamiento totalmente estático: no se requiere reloj ni actualización
• Resultados de tres estados
• Control de datos para bytes superiores e inferiores
• Temperatura industrial disponible
• Disponible sin plomo

El ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL es una memoria RAM estática de 8M bits de alta velocidad organizada como 512K palabras por 16 bits.Este proceso de alta fiabilidad junto con técnicas innovadoras de diseño de circuitos da lugar a dispositivos de alto rendimiento y bajo consumo de energía.

Cuando CS1 es alto (deseleccionado) o cuando CS2 es bajo (deseleccionado) o cuando CS1 es bajo, CS2 es alto y tanto LB como UB son altos,el dispositivo asume un modo de espera en el que la disipación de energía puede reducirse con los niveles de entrada CMOS.

La expansión de memoria fácil se proporciona mediante el uso de las entradas Chip Enable y Output Enable.Un byte de datos permite el acceso de Byte superior (UB) y Byte inferior (LB).

El IS62WV51216ALL y el IS62WV51216BLL están empaquetados en el estándar JEDEC de mini BGA de 48 pines (7,2 mm x 8,7 mm) y TSOP de 44 pines (TIPO II).

• Embalaje estándar para la exportación
• Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y palets de madera según sus propios requisitos