Chip SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS de Baixa Tensão

512K x 16 baixa tensão ultra baixa potência CMOS memória de acesso aleatório estático SRAM IS62WV51216BLL-55TLI

• Tempo de acesso de alta velocidade: 45 ns, 55 ns
• Função CMOS de baixa potência: 36 mW (típica) em funcionamento, 12 μW (típica) em modo de espera CMOS
• Níveis de interface compatíveis com o TTL
• Fornecimento de energia único: 2,5 V a 3,6 V VDD (62WV51216BLL)
• Função totalmente estática: não são necessários relógios ou atualizações
• Resultados de três estados
• Controle de dados para bytes superiores e inferiores
• Temperatura industrial disponível
• Disponível sem chumbo

O ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL são RAMs estáticas de 8M bits de alta velocidade organizadas como 512K palavras por 16 bits.Este processo altamente fiável, juntamente com técnicas inovadoras de projeto de circuitos, produz dispositivos de alto desempenho e baixo consumo de energia.

Quando CS1 é ALTO (deselecionado) ou quando CS2 é BAIXO (deselecionado) ou quando CS1 é BAIXO, CS2 é ALTO e tanto LB quanto UB são ALTO,O dispositivo assume um modo de espera no qual a dissipação de energia pode ser reduzida para baixo com os níveis de entrada CMOS.

A expansão fácil da memória é fornecida usando as entradas Chip Enable e Output Enable.Um byte de dados permite o acesso ao Byte Superior (UB) e ao Byte Inferior (LB).

O IS62WV51216ALL e o IS62WV51216BLL estão embalados no padrão JEDEC de mini BGA de 48 pinos (7,2 mm x 8,7 mm) e TSOP de 44 pinos (TIPO II).

• Embalagem padrão para exportação
• Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com as suas próprias necessidades