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Chip SRAM estático de 18 Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI

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Chip SRAM estático de 18 Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI

Chip SRAM estático de 18 Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI
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Imagem Grande :  Chip SRAM estático de 18 Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI

Detalhes do produto:
Lugar de origem: TWN
Marca: Infineon
Certificação: ROHS
Número do modelo: CY7C1381KV33-133AXI
Documento: C914902_DFFD291A5D18265E187...02.pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: CONSULT WITH
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8day
Termos de pagamento: T/T, Western Union
Habilidade da fonte: 10000
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Chip SRAM estático de 18 Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI

descrição
fabricante:: INFINEON Categoria de produto:: SRAM
Tamanho da memória:: 18 Mbits Organização:: 512 k x 36
Pacote/caso:: TQFP-100 Sensível à umidade:: - Sim, sim.
Quantidade do pacote de fábrica:: 360 Subcategoria:: Armazenamento de dados da memória &
Destacar:

Chip SRAM de 18 Mbit

,

Chip SRAM 6

,

5 ns

SRAM 18Mbit RAM estática Memória de acesso aleatório estático de alto desempenho COMS CY7C1381KV33-133AXI
Especificações do produto
Fabricante Infineon
Categoria de produtos SRAM
Tamanho da Memória 18 Mbit
Organização 512 k x 36
Embalagem / Caixa TQFP-100
Sensível à humidade - Sim, sim.
Quantidade em embalagem de fábrica 360
Subcategoria Memória e armazenamento de dados
Tempo de acesso 6.5 ns
Frequência máxima do relógio 133 MHz
Faixa de tensão de alimentação 3.135 V - 3.6 V
Temperatura de funcionamento -40°C a +85°C
Características fundamentais
  • Suporta operações de autocarro de 133 MHz
  • 512K × 36 e 1M × 18 E/S comum
  • 3.3 V fonte de alimentação do núcleo (VDD)
  • 2.5 V ou 3.3 V de alimentação de entrada/saída (VDDQ)
  • Tempo rápido de clock-to-output: 6,5 ns (versão de 133 MHz)
  • Taxa de acesso 2-1-1-1 de alto desempenho
  • Contador de explosões selecionável pelo utilizador que suporta sequências de explosões intercaladas ou lineares
  • IEEE 1149.1 Análise de limites compatível com o JTAG
  • Opção de modo ZZ de sono
  • Código de correção de erros no chip (ECC) para reduzir a taxa de erro suave (SER)
Descrição funcional

A série CY7C1381KV33 tem fluxo síncrono de 3,3 V, 512K × 36 e 1M × 18 através de SRAMs projetados para interfaçar com microprocessadores de alta velocidade com lógica mínima de cola.Estes dispositivos apresentam um atraso de acesso máximo de 6.5 ns (versão de 133 MHz) e incluem um contador de 2 bits no chip para geração de endereços em burst.

Todas as entradas síncronas são fechadas por registros controlados por uma entrada de relógio (CLK). Os dispositivos operam a partir de uma fonte de alimentação de núcleo de +3,3 V, enquanto todas as saídas operam com uma +2.5 V ou +3Todas as entradas e saídas são compatíveis com a norma JEDEC e com a JESD8-5.

Imagens do produto
Chip SRAM estático de 18 Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI 0 Chip SRAM estático de 18 Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI 1 Chip SRAM estático de 18 Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI 2
Informações sobre a embalagem

Embalagem de exportação padrão disponível. Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com as suas necessidades.

Perguntas Frequentes
Como obter o preço?

Normalmente, nós citamos dentro de 24 horas após receber o seu inquérito (exceto fins de semana e feriados).

Qual é o seu prazo de entrega?

Os pequenos lotes são normalmente enviados dentro de 7-15 dias, enquanto os grandes lotes podem exigir cerca de 30 dias, dependendo da quantidade de encomenda e da estação.

Quais são os seus termos de pagamento?

Preço de fábrica com depósito de 30% e pagamento T/T de 70% antes do envio.

Qual é o modo de transporte?

Disponível por via marítima, aérea ou expressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Pessoa de Contato: Mr. Sun

Telefone: 18824255380

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