2Mbit 10ns Sram chips de memória 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

• Pino e função compatível com cy7c1010cv33
• Alta velocidade: taa = 10 ns
• Baixa potência ativa: ICC = 90 mA a 10 ns
• Potência de espera de baixo CMOS: ISB2 = 10 mA
• 2.0 V Retenção de dados
• Desligamento automático quando desmarcado
• Entradas e saídas compatíveis com TTL
• Expansão fácil de memória com recursos de CE e OE
• Disponível em pacotes TSOP II de 36 pinos sem PB e 44 pinos

O CY7C1010DV33 é uma aríete estática do CMOS de alto desempenho, organizada como 256 K palavras por 8 bits. A expansão fácil da memória é fornecida por um chip ativo de baixo limite (CE), uma saída baixa ativa (OE) e drivers de três estados.

A gravação no dispositivo é realizada pegando o chip atabilable (CE) e a gravação de inable (nós) insumos baixos. Os dados sobre os oito pinos de E/S (E/O0 a I/O7) são então gravados no local especificado nos pinos de endereço (A0 a A17).

A leitura do dispositivo é realizada pegando o chip atability (CE) e a saída Ativar (OE) baixo enquanto forçando a escrita ativa (nós) alta. Nessas condições, o conteúdo do local da memória especificado pelos pinos de endereço aparecerá nos pinos de E/S.

Embalagem de exportação padrão disponível. Os clientes podem escolher caixas, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com seus requisitos.