Микросхемы SRAM памяти 2 Мбит 10 нс 128 К x 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

• Ключ и функция совместимы с CY7C1010CV33
• Высокая скорость: tAA = 10 ns
• Низкая активная мощность: ICC = 90 mA при 10 ns
• Низкая мощность режима ожидания CMOS: ISB2 = 10 mA
• 2.0 V сохранение данных
• Автоматическое отключение при отключении
• Входы и выходы, совместимые с TTL
• Легкое расширение памяти с функциями CE и OE
• Доступен в 36-контактных SOJ и 44-контактных TSOP II пакетах без Pb

CY7C1010DV33 представляет собой высокопроизводительную CMOS-статическую оперативную память, организованную в виде 256 K слов на 8 бит. Легкое расширение памяти обеспечивается активным LOW Chip Enable (CE), активным LOW Output Enable (OE),и трех состояний водителей.

Запись на устройство выполняется с помощью вводов Chip Enable (CE) и Write Enable (WE) LOW.Затем данные на восьми пинах В/В (I/O0 - I/O7) записываются в местоположение, указанное на пинах адресов (A0 - A17).

Чтение с устройства осуществляется путем снятия Chip Enable (CE) и Output Enable (OE) LOW при нажатии Write Enable (WE) HIGH.содержимое местоположения памяти, указанного адресными булавками, будет отображаться на булавках В/В.

Стандартная экспортная упаковка доступна.Заказчики могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.