2Mbit 10ns chips de memoria Sram 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

• Pin y función compatibles con CY7C1010CV33
• Velocidad máxima: tAA = 10 ns
• Baja potencia activa: ICC = 90 mA a 10 ns
• La potencia de espera de CMOS baja: ISB2 = 10 mA
• 2.0 V retención de datos
• Apagado automático si se desactiva la opción
• Entradas y salidas compatibles con TTL
• Fácil expansión de memoria con características CE y OE
• Disponible en los paquetes SOJ de 36 pines y TSOP II de 44 pines sin Pb

El CY7C1010DV33 es una RAM CMOS estática de alto rendimiento organizada como 256 K palabras por 8 bits.y conductores de tres estados.

La escritura al dispositivo se realiza tomando las entradas Chip Enable (CE) y Write Enable (WE) LOW.Los datos en los ocho pines de E/S (de E/S0 a E/S7) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (de A0 a A17).

La lectura desde el dispositivo se realiza tomando Chip Enable (CE) y Output Enable (OE) BAJO mientras se fuerza Write Enable (WE) ALTO.el contenido de la ubicación de la memoria especificada por los pines de dirección aparecerá en los pines de E/S.

Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y palets de madera de acuerdo con sus necesidades.