2 Mbit 10ns puces de mémoire Sram 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

• Broche et fonction compatible avec cy7c1010cv33
• Haute vitesse: TAA = 10 ns
• Faible puissance active: ICC = 90 mA à 10 ns
• POWER DE SUPPORT DE CMOS BASSE: ISB2 = 10 MA
• 2,0 V Rétention des données
• Alimentation automatique à la baisse lorsqu'elle est désélectionnée
• Entrées et sorties compatibles TTL
• Extension facile de la mémoire avec les fonctionnalités CE et OE
• Disponible dans des packages SOJ et 44 broches sans PB et 44 broches

Le CY7C1010DV33 est un RAM statique CMOS haute performance organisé comme 256 K mots par 8 bits. L'expansion facile de la mémoire est fournie par une activité de puce basse active (CE), une activité à faible sortie active (OE) et des pilotes à trois états.

L'écriture sur l'appareil est réalisée en prenant des entrées de puce (CE) et des entrées de rédaction (nous) faibles. Les données sur les huit broches d'E / S (E / O0 à I / O7) sont ensuite écrites dans l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A17).

La lecture de l'appareil est réalisée en prenant la puce enable (CE) et en activité (OE) faible tout en forçant l'écriture enable (nous) élevés. Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement de la mémoire spécifiée par les broches d'adresse apparaîtra sur les broches d'E / S.

Emballage d'exportation standard disponible. Les clients peuvent choisir parmi les cartons, les étuis en bois et les palettes en bois en fonction de leurs besoins.