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2Mbit 10ns Sram Memory Chips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

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2Mbit 10ns Sram Memory Chips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

2Mbit 10ns Sram Memory Chips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI
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Grande immagine :  2Mbit 10ns Sram Memory Chips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

Dettagli:
Luogo di origine: TWN
Marca: Infineon
Certificazione: ROHS
Numero di modello: CY7C1011DV33-10ZSXI
Documento: 9479AFB421709E466433D4AAEF7...3D.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: CONSULT WITH
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8day
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 10000
Contatto Ora chiacchieri

2Mbit 10ns Sram Memory Chips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

descrizione
produttore:: INFINEON Categoria di prodotto:: SRAM
Dimensione della memoria:: 2 Mbit Organizzazione:: 128 k x 16
Pacchetto/caso:: TSOP-44 Sensibile all'umidità:: Sì
Serie:: CY7C1011DV33 Quantità confezione di fabbrica:: 675
Evidenziare:

Chip di memoria di 2 Mbit

,

10ns chip di memoria RAM

,

CY7C1011DV33-10ZSXI

SRAM 2Mbit RAM statica Memoria di accesso casuale statica COMS ad alte prestazioni CY7C1011DV33-10ZSXI
Specificativi del prodotto
Attributo Valore
Produttore Infineon
Categoria di prodotto SRAM
Dimensione della memoria 2 Mbit
Organizzazione 128 k x 16
Confezione / Cassa TSOP-44
Sensibile all'umidità - Sì, sì.
Serie CY7C1011DV33
Quantità di imballaggio in fabbrica 675
Caratteristiche chiave
  • Pin e funzione compatibili con CY7C1010CV33
  • Alta velocità: tAA = 10 ns
  • Potenza attiva bassa: ICC = 90 mA a 10 ns
  • Potenza in standby CMOS bassa: ISB2 = 10 mA
  • 2.0 V conservazione dei dati
  • Disattivazione automatica se disattivata
  • Input e output compatibili con il TTL
  • Facile espansione della memoria con funzionalità CE e OE
  • Disponibile nei pacchetti SOJ a 36 pin e TSOP II a 44 pin privi di Pb
Descrizione funzionale

Il CY7C1010DV33 è una RAM CMOS statica ad alte prestazioni organizzata in 256 K di parole da 8 bit.e driver a tre stati.

La scrittura sul dispositivo viene eseguita prendendo gli input Chip Enable (CE) e Write Enable (WE) LOW.I dati sugli otto pin di I/O (da I/O0 a I/O7) vengono quindi scritti nella posizione specificata sui pin di indirizzo (da A0 a A17).

La lettura dal dispositivo viene realizzata prendendo Chip Enable (CE) e Output Enable (OE) LOW mentre forziamo Write Enable (WE) HIGH. In queste condizioni,il contenuto della posizione della memoria specificata dai pin di indirizzo apparirà sui pin I/O.

Specifiche tecniche
Tempo di accesso 10 ns
Tipo di interfaccia Parallelamente
Intervallo di tensione di alimentazione da 3 V a 3,6 V
Temperatura di funzionamento -40°C a +85°C
Stile di montaggio SMD/SMT
Immagini del prodotto
2Mbit 10ns Sram Memory Chips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI 0 2Mbit 10ns Sram Memory Chips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI 1 2Mbit 10ns Sram Memory Chips 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI 2
Imballaggio e spedizione

Sono disponibili imballaggi standard per l'esportazione e i clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base alle loro esigenze.

Domande frequenti
Come si ottiene il prezzo?

In genere forniamo un preventivo entro 24 ore dal ricevimento della richiesta (esclusi fine settimana e festivi). Per richieste urgenti, contattateci direttamente via e-mail o telefono.

Qual e' il vostro tempo di consegna?

I tempi di consegna variano in base alla quantità dell'ordine e alla stagione.

Quali sono i termini di pagamento?

Termini standard: deposito del 30% con pagamento del saldo del 70% tramite T/T prima della spedizione.

Quali sono le opzioni di spedizione?

Offriamo spedizioni via mare, via aerea ed espresse (tra cui EMS, UPS, DHL, TNT e FEDEX).

Prodotto Tag:

chip sram,

chip di memoria sram,

sram su chip

Dettagli di contatto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona di contatto: Mr. Sun

Telefono: 18824255380

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