Τσιπ SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS Χαμηλής Τάσης

512K x 16 χαμηλής τάσης ULTRA LOW POWER CMOS Στατική μνήμη τυχαίας πρόσβασης SRAM IS62WV51216BLL-55TLI

• Χρόνος πρόσβασης υψηλής ταχύτητας: 45ns, 55ns
• Λειτουργία CMOS χαμηλής ισχύος: 36 mW (τυπική) λειτουργία, 12 μW (τυπική) CMOS αναμονή
• Επίπεδα διασύνδεσης συμβατά με το TTL
• Ενιαία παροχή ενέργειας: 2,5V-3,6V VDD (62WV51216BLL)
• Πλήρως στατική λειτουργία: δεν απαιτείται ρολόι ή ανανέωση
• Τρεις κρατικές εκδόσεις
• Ελέγχος δεδομένων για τα άνω και τα κατώτερα bytes
• Διαθέσιμη βιομηχανική θερμοκρασία
• Διαθέσιμο χωρίς μόλυβδο

Το ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL είναι υψηλής ταχύτητας, 8M bit στατική μνήμη RAM οργανωμένη ως 512K λέξεις από 16 bits.Αυτή η εξαιρετικά αξιόπιστη διαδικασία σε συνδυασμό με καινοτόμες τεχνικές σχεδιασμού κυκλωμάτων αποφέρει συσκευές υψηλής απόδοσης και χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας.

Όταν το CS1 είναι υψηλό (αποκαλείται) ή όταν το CS2 είναι χαμηλό (αποκαλείται) ή όταν το CS1 είναι χαμηλό, το CS2 είναι υψηλό και τόσο το LB όσο και το UB είναι υψηλά,η συσκευή υποθέτει κατάσταση αναμονής κατά την οποία η διάχυση ισχύος μπορεί να μειωθεί με τα επίπεδα εισόδου CMOS.

Η εύκολη επέκταση μνήμης παρέχεται με τη χρήση εισροών Chip Enable και Output Enable.Ένα byte δεδομένων επιτρέπει πρόσβαση Upper Byte (UB) και Lower Byte (LB).

Τα IS62WV51216ALL και IS62WV51216BLL είναι συσκευασμένα στο πρότυπο JEDEC 48-pin mini BGA (7,2 mm x 8,7 mm) και 44-pin TSOP (Τύπος II).

• Τυπική συσκευασία εξαγωγής
• Οι πελάτες μπορούν να επιλέξουν από χαρτόνια, ξύλινα κιβώτια και ξύλινα παλέτα σύμφωνα με τις δικές τους απαιτήσεις