512k X 16 SRAM Chip IS62WV51216BLL-55TLI CMOS Laagspanning

512K x 16 LAW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS Static Random Access Memory SRAM is62WV51216BLL-55TLI

• Toegangstijd bij hoge snelheid: 45 ns, 55 ns
• CMOS-laagvermogen: 36 mW (typisch) in werking, 12 μW (typisch) in CMOS-standby
• TTL-compatibele interfaceniveaus
• Eenmalige voedingsbron: 2,5 V tot 3,6 V VDD (62WV51216BLL)
• Volledig statische werking: geen klok of vernieuwing vereist
• Drie-staat-outputs
• Gegevenscontrole voor bovenste en onderste bytes
• Beschikbare industriële temperatuur
• Beschikbaar loodvrij

De ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL zijn high-speed, 8M bit statische RAM's georganiseerd als 512K woorden bij 16 bits.Dit zeer betrouwbare proces, gecombineerd met innovatieve schakelontwerptechnieken, levert apparaten met een hoge prestatie en een laag stroomverbruik op.

Wanneer CS1 HIGH is (niet geselecteerd) of wanneer CS2 LOW is (niet geselecteerd) of wanneer CS1 LOW is, is CS2 HIGH en zijn zowel LB als UB HIGH,het apparaat gaat uit van een standby-modus waarbij de vermogensafvoer kan worden verminderd met CMOS-invoerniveaus.

De actieve LOW Write Enable (WE) regelt zowel het schrijven als lezen van het geheugen.Een databyte maakt toegang tot Upper Byte (UB) en Lower Byte (LB) mogelijk.

De IS62WV51216ALL en IS62WV51216BLL zijn verpakt in de JEDEC-standaard 48-pin mini BGA (7,2 mm x 8,7 mm) en 44-pin TSOP (TYPE II).

• Standaardverpakking voor uitvoer
• Klanten kunnen kiezen uit kartonnen dozen, houten dozen en houten pallets volgens hun eigen behoeften