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उत्पाद विवरण:
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| उत्पाद सूची: | मेमोरी> स्टेटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (SRAM) | सार्वभौमिक पैकेजिंग: | टीएसओपी-44 |
|---|---|---|---|
| RoHS: | अनुपालन | स्थापित करने की विधि: | भूतल माउंट स्थापना |
| परिचालन तापमान: | - 40 ℃ ~- 85 ℃ | लंबाई * चौड़ाई * ऊंचाई: | - |
| अनुप्रयोग ग्रेड: | औद्योगिक श्रेणी | पैकेजिंग विधि: | चटाई |
| प्रमुखता देना: | 512k X 16 SRAM चिप,SRAM चिप,IS62WV51216BLL-55TLI |
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| विशेषता | मूल्य |
|---|---|
| उत्पाद सूची | मेमोरी > स्टैटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (SRAM) |
| यूनिवर्सल पैकेजिंग | TSOP-44 |
| RoHS | अनुपालन |
| स्थापना विधि | सतह माउंट स्थापना |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40℃~85℃ |
| अनुप्रयोग ग्रेड | औद्योगिक ग्रेड |
| पैकेजिंग विधि | पैलेट |
| न्यूनतम कार्यशील बिजली आपूर्ति वोल्टेज | 2.5V |
| संगठन | 512 k x 16 |
| डेटा बस चौड़ाई | 16bit |
| इंटरफ़ेस प्रकार | समानांतर |
| संग्रहण क्षमता | 8Mb (512K x 16) |
| अधिकतम आपूर्ति करंट | 5mA |
| अधिकतम कार्यशील बिजली आपूर्ति वोल्टेज | 3.6V |
512K x 16 लो वोल्टेज अल्ट्रा लो पावर CMOS स्टैटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी SRAM IS62WV51216BLL-55TLI
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL उच्च गति, 8M बिट स्टैटिक RAM हैं जो 512K शब्दों द्वारा 16 बिट के रूप में व्यवस्थित हैं। यह ISSI की उच्च-प्रदर्शन CMOS तकनीक का उपयोग करके बनाया गया है। यह अत्यधिक विश्वसनीय प्रक्रिया, अभिनव सर्किट डिज़ाइन तकनीकों के साथ मिलकर उच्च प्रदर्शन और कम बिजली की खपत वाले उपकरण प्रदान करती है।
जब CS1 HIGH (अचयनित) होता है या जब CS2 LOW (अचयनित) होता है या जब CS1 LOW होता है, CS2 HIGH होता है और LB और UB दोनों HIGH होते हैं, तो डिवाइस स्टैंडबाय मोड मान लेता है जिस पर CMOS इनपुट स्तरों के साथ बिजली अपव्यय को कम किया जा सकता है।
चिप इनेबल और आउटपुट इनेबल इनपुट का उपयोग करके आसान मेमोरी विस्तार प्रदान किया जाता है। सक्रिय LOW राइट इनेबल (WE) मेमोरी के लेखन और पढ़ने दोनों को नियंत्रित करता है। एक डेटा बाइट अपर बाइट (UB) और लोअर बाइट (LB) एक्सेस की अनुमति देता है।
IS62WV51216ALL और IS62WV51216BLL JEDEC मानक 48-पिन मिनी BGA (7.2mm x 8.7mm) और 44-पिन TSOP (TYPE II) में पैक किए गए हैं।
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