1Mbit COMS Sram Memory Chip Static Random Access Memory CY7C1019DV33-10VXI

• Kompatybilny z pinem i funkcją z CY7C1018CV33 i CY7C1019CV33
• Duża prędkość: TAA = 10 ns
• Niska moca aktywna: ICC = 60 mA @ 10 ns
• Niska moc rezerwowa CMOS: ISB2 = 3 Ma
• 2,0 V Zachowanie danych
• Automatyczna moc w dół, gdy jest po zakupie
• CMOS dla optymalnej prędkości/mocy
• Pinout mocy/uziemienia
• Łatwe rozszerzenie pamięci z opcjami CE i OE
• Dostępne w 32-pinowych 32-milimowych o szerokości 400-molowych MOLMED SOJ, 32-pin TSOP II i 48-balowe pakiety VFBGA

CY7C1018DV33/CY7C1019DV33 jest wysokowydajnym CMOS RAM zorganizowanym jako 131 072 słów na 8 bitów. Łatwa ekspansja pamięci jest dostarczana przez aktywny niski układ chipowy (CE), aktywny niski wyjściowy wyjściowy (OE) i sterowniki trójstronne. To urządzenie ma automatyczną funkcję zasilania, która znacznie zmniejsza zużycie energii po zaleceniu.

Pisanie do urządzenia odbywa się poprzez przyjmowanie ChIP Enable (CE) i zapisu (my) wprowadza niskie. Dane dotyczące ośmiu pinów we/wy (I/O0 do I/O7) są następnie zapisywane w lokalizacji określonej w punktach adresowych (A0 do A16).

Odczyt z urządzenia odbywa się poprzez przyjęcie Chip Enable (CE) i wyjściowego (OE) niskiego poziomu, jednocześnie wymuszając zapis (my) wysoko. W tych warunkach zawartość lokalizacji pamięci określonej przez piny adresu pojawi się na pinach we/wy.

Dostępne standardowe opakowanie eksportowe. Klienci mogą wybierać spośród kartonów, drewnianych skrzynek i drewnianych palet zgodnie z ich wymaganiami.