1Mbit COMS Sram Memory Chip حافظه دسترسی تصادفی استاتیک CY7C1019DV33-10VXI

• پن و عملکرد سازگار با CY7C1018CV33 و CY7C1019CV33
• سرعت بالا: tAA = 10 ns
• قدرت فعال کم: ICC = 60 mA @ 10 ns
• قدرت آماده کم CMOS: ISB2 = 3 mA
• 2.0 V نگهداری داده ها
• خاموش کردن اتوماتیک در صورت حذف انتخاب
• CMOS برای حداکثر سرعت/قدرت
• قدرت مرکز/پینآوت زمین
• گسترش حافظه آسان با گزینه های CE و OE
• موجود در بسته های 32 پین 400 میلی متری SOJ، 32 پین TSOP II و 48 توپ VFBGA بدون Pb

CY7C1018DV33/CY7C1019DV33 یک RAM جامد CMOS با عملکرد بالا است که به عنوان 131,072 کلمه با 8 بیت سازماندهی شده است. گسترش حافظه آسان توسط یک چپ فعال فعال (CE) فراهم می شود.فعال بودن Low Output Enable (OE)این دستگاه دارای یک ویژگی خاموش کردن اتوماتیک است که مصرف برق را به طور قابل توجهی کاهش می دهد.

نوشتن به دستگاه با استفاده از ورودی های Chip Enable (CE) و Write Enable (WE) انجام می شود.سپس داده ها در هشت پین I/O (I/O0 تا I/O7) به مکان مشخص شده در پین های آدرس (A0 تا A16) نوشته می شود..

خواندن از دستگاه با گرفتن چپ فعال (CE) و خروجی فعال (OE) پایین در حالی که فشار دادن نوشتن فعال (WE) بالا انجام می شود. در این شرایط،محتویات محل حافظه مشخص شده توسط پین آدرس در پین I / O ظاهر می شود.

بسته بندی استاندارد صادرات در دسترس است. مشتریان می توانند با توجه به نیازهای خود از کارتون ها، موارد چوبی و پالت های چوبی انتخاب کنند.