Statik 8Mbit Chip Sram COMS Random Access Memory CY7C1051DV33-10ZSXIT

CY7C1051DV33 adalah SRAM CMOS Kinerja Tinggi yang diorganisasikan sebagai 512 K kata dengan 16-bit.

Untuk menulis ke perangkat, ambil input Chip Enable (CE) dan Write Enable (WE) LOW. Jika Byte LOW Enable (BLE) LOW, maka data dari pin I/O (I/O0-I/O7), ditulis ke lokasi yang ditentukan pada pin alamat (A0-A18). Jika Byte HIGH Enable (BHE) LOW, maka data dari pin I/O (I/O8-I/O15) ditulis ke lokasi yang ditentukan pada pin alamat (A0-A18).

Untuk membaca dari perangkat, ambil Chip Enable (CE) dan Output Enable (OE) LOW sambil memaksa Write Enable (WE) HIGH. Jika Byte LOW Enable (BLE) LOW, maka data dari lokasi memori yang ditentukan oleh pin alamat muncul pada I/O0-I/O7. Jika Byte HIGH Enable (BHE) LOW, maka data dari memori muncul pada I/O8 hingga I/O15.

Pin input/output (I/O0-I/O15) ditempatkan dalam keadaan impedansi tinggi ketika perangkat tidak dipilih (CE HIGH), output dinonaktifkan (OE HIGH), BHE dan BLE dinonaktifkan (BHE, BLE HIGH), atau operasi tulis (CE LOW, dan WE LOW) sedang berlangsung.

CY7C1051DV33 tersedia dalam paket TSOP II 44-pin dengan pinout daya dan ground tengah (revolusioner) dan paket FBGA 48-bola.

• Rentang suhu: -40°C hingga 85°C
• Kecepatan tinggi: tAA = 10 ns
• Daya aktif rendah: ICC = 110 mA pada f = 100 MHz
• Daya siaga CMOS rendah: ISB2 = 20 mA
• Retensi data 2.0-V
• Penonaktifan daya otomatis saat tidak dipilih
• Input dan output yang kompatibel dengan TTL
• Perluasan memori yang mudah dengan fitur CE dan OE
• Tersedia dalam paket FBGA 48-bola bebas Pb dan paket TSOP II 44-pin

Sesuai dengan standar pengemasan ekspor. Pelanggan dapat memilih dari karton, kotak kayu, dan palet kayu sesuai dengan kebutuhan mereka sendiri.