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DDR4 4Gb SDRAM puce 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K rafraîchir IMD256M16R4ABD8LY

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DDR4 4Gb SDRAM puce 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K rafraîchir IMD256M16R4ABD8LY

DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY
DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY DDR4 4Gb SDRAM Chip 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K Refresh IMD256M16R4ABD8LY

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Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: ICMAX
Certification: RoHS
Numéro de modèle: Imd256m16r4abd8ly
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 2
Prix: consult
Détails d'emballage: R/R
Délai de livraison: 5 ~ 8 jours
Conditions de paiement: T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 10000
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DDR4 4Gb SDRAM puce 32Mx4 FBGA-96 1.2V 8K rafraîchir IMD256M16R4ABD8LY

description de
Emballage de produits: FBGA-96 (7.5x13,5) Méthode d'emballage: Bande tissée
Poids brut de la marchandise: 0,6 (g) Configuration: 32 mégohms banques de X 4 x 8
Régénérez le compte: 8K
Mettre en évidence:

La puce SDRAM DDR4 de 4 Go est appelée FBGA-96

,

puce SDRAM 32Mx4 1

,

2 V

DDR4 4 Go SDRAM MEMORY PHIP RAPHIER IMD256M16R4ABD8LY
DDR4 SDRAM
IMD256M16R4ABD8LY - 32 Meg x 16 x 8 Banques
Caractéristiques
  • Vdd = vddq = 1,2 V ± 60 mV
  • VPP = 2,5 V, –125 mV / + 250 mV
  • Génération VREFDQ interne, interne et réglable
  • 1.2 V E / S à drain ouvert
  • TC de 0 ° C à 85 ° C
    • 64 ms, rafraîchissement de 8192 cycles à 0 ° C à 85 ° C
    • 32 ms à 85 ° C à 95 ° C
  • 16 banques internes (x4, x8): 4 groupes de 4 banques chacun
  • 8 banques internes (x16): 2 groupes de 4 banques chacun
  • Architecture préfescée 8N bits
  • Préambules stroboscopiques programmables
  • Data Strobe Preambble Training
  • Latence de commande / d'adresse (CAL)
  • Capacité de lecture et d'écriture du registre polyvalent
  • Écrire et lire le nivellement
  • Mode d'auto-rafraîchissement
  • Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR)
  • Rafraîchissement contrôlé par température (TCR)
  • Rafraîchissement de granularité fine
  • Abandon auto
  • Économie de puissance maximale
  • Étalonnage du pilote de sortie
  • Tenue nominale, parc et dynamique sur la terminaison (ODT)
  • Inversion de bus de données (DBI) pour le bus de données
  • Parité de commande / adresse (CA)
  • Vérification de la redondance cyclique d'écriture de données (CRC)
  • Adresse par dramme
  • Test de connectivité (x16)
  • Modes de réparation de post-colis (PPR) et de poteau packagerepair (SPPR)
  • Jedec Jesd-79-4 conforme
Options
Catégorie Détails
Marquage de la mémoire ICMAX Imd
Configuration 1 gig x 4
512 Megx8
256 Meg x 16
1G4512M8256MM16
Code produit Ddr4
Densité -4 gigaoctet
Tension / actualisation -1,2v / 8k actualisation
Package FBGA (sans PB) -x4, x8 78-ball (7,5 mm x 1lmm)
78-ball (8 mm x 12 mm)
D8
78-ball (9 mm x 10,5 mm)
78-ball (9 mm x 11,5 mm)
78-ball (9 mm x 13,2 mm)
Package FBGA (sans PB) -x16 96-ball (9 mm x 14 mm), révérend
96-ball (9 mm x 14 mm), révérend b
96-ball (7,5 mmx13,5 mm) -rev e, f
Temps de temps du temps LR
0.750ns@cl=18 (DDR4-2666)
0,833ns @ cl = 16 (DDR4-2400)
0,833ns @ cl = 17 (DDR4-2400)
0,937NS @ CL = 15 (DDR4-2133)
0,937ns @ cl = 16 (DDR4-2133)
0,937ns @ cl = 16 (DDR4-2133)
0,937ns @ cl = 16 (DDR4-2133)
Température de fonctionnement Commercial (0 ° ≤ TC ≤ 85 ° C)
Autre Aucun
Paramètres
Paramètre 1 concert * 4 512 Meg * 8 256 Meg * 16
Nombre de groupes de banques 4 4 2
Adresse du groupe de banques BG [1: 0] BG [1: 0] Bg0
Nombre de banques par groupe 4 4 4
Adresse bancaire dans le groupe bancaire BA [1: 0] BA [1: 0] BA [1: 0]
Adression de lignes 64K (A [15: 0]) 32k (A [15: 0]) 32k (A [14: 0])
Adresse de colonne 1K (A [9: 0]) 1K (A [9: 0]) 1K (A [9: 0])
Taille de la page1 512b / 1kb2 1KB 2KB
Emballage et expédition

Emballage d'exportation standard disponible. Les clients peuvent choisir parmi les cartons, les étuis en bois et les palettes en bois en fonction de leurs besoins.

Questions fréquemment posées

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