Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияНикакой вспышки

3.3В 1 Гбит SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(19)

Блок микроконтроллера MCU

(17)

Система SOC на чипе

(11)

IC MPU

(9)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(1)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(12)

обломок eeprom

(10)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(15)

Никакой вспышки

(12)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Радиочастотные интегральные схемы

(10)

Литий-ионная батарея

(21)

Программирование ПЛК

(14)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(11)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)
Оставьте нам сообщение

3.3В 1 Гбит SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP

3.3V 1Gb SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP
3.3V 1Gb SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP 3.3V 1Gb SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP 3.3V 1Gb SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP

Большие изображения :  3.3В 1 Гбит SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: CN
Фирменное наименование: ICMAX
Сертификация: RoHS
Номер модели: IMD64M16R38AG8GNF
Документ: 4986737D3C91E24BA10758AC95C...D1.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 2
Цена: consult
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5 ～ 8 дней
Условия оплаты: T/T, Western Union
Поставка способности: 10000
контакт Побеседуйте теперь

3.3В 1 Гбит SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP

описание
Упаковка продукта: ФБГА-96(8х14) Метод упаковки: Сплетенная лента
Грубый вес товара: 0,44 (г) Конфигурация: 32 Meg банки x 4 x 8
Освежите отсчет: 8к
Выделить:

3.3В 1 Гбит SLC NAND Flash

,

FBGA-96 NAND Flash Memory

,

8X14 SLC NAND Flash

3.3V 1Gb SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP
1.0 ВВЕДЕНИЕ
1.1 Общее описание

Предлагаемая память lMS1G083ZZM1S-WP, доступная в конфигурации 128Mx8 бит, представляет собой 1-гигабитную NAND Flash память с резервом 32 Мбит. Устройство предлагается с напряжением питания 3,3 В. Его ячейка NAND обеспечивает наиболее экономичное решение для рынка твердотельных накопителей. Операция программирования может быть выполнена за типичные 400 мкс на странице (2K+64 байта), а операция стирания может быть выполнена за типичные 4,5 мс на блоке (128K+4K) байт. Данные в регистре данных могут быть считаны за время цикла 25 нс на байт. Выводы ввода/вывода служат портами для ввода/вывода адреса и данных, а также для ввода команд. Встроенное управление записью автоматизирует все функции программирования и стирания, включая повторение импульсов, где это необходимо, а также внутреннюю верификацию и поддержание данных. IMS1G083ZZM1S-WP - оптимальное решение для больших энергонезависимых хранилищ, таких как твердотельные файловые хранилища и другие портативные приложения, требующие энергонезависимости.

1.2 Особенности
  • Напряжение питания - Vcc: 3,3 В (2,7 В ~ 3,6 В)
  • Организация
    • Массив ячеек памяти: (128M + 4M) x 8 бит
    • Размер страницы: (2K + 64) байта
    • Регистр данных: (2K+ 64)x8 бит
    • Стирание блока: (128K + 4K) байт
  • Автоматическое программирование и стирание
    • Программирование страницы: (2K + 64) байта
  • Операция чтения страницы
    • Случайное чтение: 25 нс (макс.)
  • Многоканальный порт ввода/вывода команд/адресов/данных
  • Аппаратная защита данных
    • Блокировка программирования/стирания во время переходов питания
  • Управление операциями командами
  • Уникальный идентификатор для защиты авторских прав
  • Корпус:
    • IMS1G083ZZM1S-WP: без свинца, без галогенов
    • Корпус 48-контактный TSOP1 (шаг 12 x 20/0,5 мм)
  • Последовательный доступ: 25 нс (мин.)
  • Скорость передачи данных: SDR20 МГц (40 Мбит/с)
  • Быстрое время цикла записи
    • Время программирования страницы: 400 мкс (тип.)
    • Время стирания блока: 4,5 мс (тип.)
Название вывода Функция вывода
Название вывода Функция Описание
I/O0 ~ I/O7 ВХОДЫ/ВЫХОДЫ ДАННЫХ Выводы ввода/вывода используются для ввода команд, адресов и данных, а также для вывода данных во время операций чтения. Выводы ввода/вывода переходят в состояние высокого импеданса, когда микросхема деактивирована или когда выходы отключены.
CLE РАЗРЕШЕНИЕ ЗАЩЕЛКИ КОМАНДЫ Вход CLE управляет путем активации команд, отправляемых в регистр команд. Когда активен высокий уровень, команды защелкиваются в регистре команд через порты ввода/вывода по нарастающему фронту сигнала WE.
ALE РАЗРЕШЕНИЕ ЗАЩЕЛКИ АДРЕСА Вход ALE управляет путем активации адреса во внутренние регистры адресов. Адреса защелкиваются по нарастающему фронту WE при высоком уровне ALE.
CE РАЗРЕШЕНИЕ МИКРОСХЕМЫ Вход CE - это элемент управления выбором устройства. Когда устройство находится в состоянии Busy (Занято), высокий уровень CE игнорируется, и устройство не возвращается в режим ожидания при операциях программирования или стирания.
RE РАЗРЕШЕНИЕ ЧТЕНИЯ Вход RE - это элемент управления последовательным выводом данных, и при активации он передает данные в шину ввода/вывода. Данные действительны tREA после спада RE, который также увеличивает внутренний счетчик адреса столбца на единицу.
WE РАЗРЕШЕНИЕ ЗАПИСИ Вход WE управляет записью в порт ввода/вывода. Команды, адрес и данные защелкиваются по нарастающему фронту импульса WE.
WP ЗАЩИТА ОТ ЗАПИСИ Вывод WP обеспечивает непреднамеренную защиту от программирования/стирания во время переходов питания. Внутренний генератор высокого напряжения сбрасывается, когда вывод WP активен низким уровнем.
R/B ВЫХОД ГОТОВНОСТЬ/ЗАНЯТОСТЬ Выход R/B указывает состояние работы устройства. Когда низкий уровень, это указывает на то, что выполняется операция программирования, стирания или случайного чтения, и возвращается в высокое состояние по завершении. Это выход с открытым стоком, который не переходит в состояние высокого импеданса, когда микросхема деактивирована или когда выходы отключены.
VCC ПИТАНИЕ VCC - это источник питания для устройства.
VSS ЗЕМЛЯ
N/C НЕТ ПОДКЛЮЧЕНИЯ
3.3В 1 Гбит SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP 0 3.3В 1 Гбит SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP 1 3.3В 1 Гбит SLC NAND Flash Memory IMS1G083ZZM1S-WP 2
Упаковка и доставка

Доступна стандартная экспортная упаковка. Клиенты могут выбирать из коробок, деревянных ящиков и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.

Часто задаваемые вопросы

Как узнать цену?

Обычно мы предоставляем расценки в течение 24 часов после получения вашего запроса (за исключением выходных и праздничных дней). Для срочных запросов цен, пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую.

Каковы ваши сроки доставки?

Небольшие партии обычно отправляются в течение 7-15 дней, в то время как заказы больших партий могут потребовать около 30 дней в зависимости от количества заказа и сезона.

Каковы ваши условия оплаты?

Заводская цена с предоплатой 30% и оплатой остатка 70% через T/T перед отправкой.

Какие варианты доставки?

Доступны следующие способы доставки: морской фрахт, авиаперевозки и экспресс-доставка (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Пожалуйста, подтвердите предпочитаемый вами способ перед заказом.

тег:

SPI NOR Flash,

ни спи,

Никакой свечи

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: 18824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

75520LE 11800ALM CPLD Программируемая логическая матрица XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip XC6SLX9-2CSG324I

2 X 32 КБ ПЛИС (CPLD) микросхемы программируемой логики 85000LE XC7Z020-2CLG484I

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.