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BAS16H,115 Hochgeschwindigkeitsschaltdiode mit hoher Schaltgeschwindigkeit, geringer Kapazität und geringer Leckstrom in SMD-Paket SOD123F

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BAS16H,115 Hochgeschwindigkeitsschaltdiode mit hoher Schaltgeschwindigkeit, geringer Kapazität und geringer Leckstrom in SMD-Paket SOD123F

BAS16H,115 High-speed switching diode with high switching speed low capacitance and low leakage current in SOD123F SMD package
BAS16H,115 High-speed switching diode with high switching speed low capacitance and low leakage current in SOD123F SMD package BAS16H,115 High-speed switching diode with high switching speed low capacitance and low leakage current in SOD123F SMD package BAS16H,115 High-speed switching diode with high switching speed low capacitance and low leakage current in SOD123F SMD package

Großes Bild :  BAS16H,115 Hochgeschwindigkeitsschaltdiode mit hoher Schaltgeschwindigkeit, geringer Kapazität und geringer Leckstrom in SMD-Paket SOD123F

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Nexperia
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: BAS16H,115
Dokument: BAS16H,115.PDF
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: consult with
Verpackung Informationen: T/R
Lieferzeit: 5-8 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000
Kontakt

BAS16H,115 Hochgeschwindigkeitsschaltdiode mit hoher Schaltgeschwindigkeit, geringer Kapazität und geringer Leckstrom in SMD-Paket SOD123F

Beschreibung
Hervorheben:

SMD-Diode mit hoher Schaltgeschwindigkeit

,

Niedrige Kapazität Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode

,

Niedrigleckstrom BAS16H

,

115 Diode

BAS16H,115 Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode, eingekapselt in eine kleine, flache Bleipaketung aus Kunststoff aus SOD123F Surface-Mounted Device (SMD).

Merkmale und Vorteile
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 ns
  • Niedrige Kapazität
  • Niedriger Leckstrom
  • Rückspannung: VR ≤ 100 V
  • Wiederholbare Spitzenumkehrspannung: VRRM ≤ 100 V
Technische Parameter

pro Diode

Symbol Parameter Bedingungen Min. Typ Maximal Einheit
VR Umspannung - - - 100 V
IR Umkehrstrom VR = 80 V; Tamb = 25 °C - - 0.5 μA
Trr Umkehrwiederherstellungszeit Wenn = 10 mA; IR = 10 mA; RL = 100 Ω; IR ((meas) = 1 mA; Tamb = 25 °C - - 4 n
BAS16H,115 Hochgeschwindigkeitsschaltdiode mit hoher Schaltgeschwindigkeit, geringer Kapazität und geringer Leckstrom in SMD-Paket SOD123FBAS16H,115 Hochgeschwindigkeitsschaltdiode mit hoher Schaltgeschwindigkeit, geringer Kapazität und geringer Leckstrom in SMD-Paket SOD123FBAS16H,115 Hochgeschwindigkeitsschaltdiode mit hoher Schaltgeschwindigkeit, geringer Kapazität und geringer Leckstrom in SMD-Paket SOD123F
Verpackung und Versand

Standard-Exportverpackungen sind erhältlich. Kunden können nach ihren Anforderungen aus Kartons, Holzkästen und Holzpaletten wählen.

Häufig gestellte Fragen
Wie bekommt man den Preis?

Wir bieten in der Regel innerhalb von 24 Stunden nach Erhalt Ihrer Anfrage Angebote (ohne Wochenenden und Feiertage).

Wie ist Ihre Lieferzeit?

Kleine Chargen werden in der Regel innerhalb von 7-15 Tagen ausgeliefert, während große Chargenbestellungen je nach Bestellmenge und Jahreszeit etwa 30 Tage benötigen.

Wie sind Ihre Zahlungsbedingungen?

Fabrikpreis mit 30% Anzahlung und 70% Balancezahlung per T/T vor Versand.

Was sind die Versandmöglichkeiten?

Zu den verfügbaren Versandmethoden gehören Seefracht, Luftfracht und Expresslieferung (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Bitte bestätigen Sie Ihre bevorzugte Methode vor der Bestellung.

Größe und Tag:

Digitale Konverter-Chip,

Digitalkonverter-Chip,

Multiplexer-Chip

Kontaktdaten
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Ansprechpartner: Mr. Sun

Telefon: +8618824255380

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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