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GD25Q16ESIG 3,3V Uniform Sector Dual- und Quad-Serien-Flash 133MHz

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GD25Q16ESIG 3,3V Uniform Sector Dual- und Quad-Serien-Flash 133MHz

GD25Q16ESIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz
GD25Q16ESIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz GD25Q16ESIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz GD25Q16ESIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz GD25Q16ESIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz

Großes Bild :  GD25Q16ESIG 3,3V Uniform Sector Dual- und Quad-Serien-Flash 133MHz

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: GigaDevice
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: GD25Q16ESIG
Dokument: C2693492_94FAA1AC4E53550D3B...1).pdf
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: consult with
Verpackung Informationen: T/R
Lieferzeit: 5-8 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000
Kontakt Plaudern Sie Jetzt

GD25Q16ESIG 3,3V Uniform Sector Dual- und Quad-Serien-Flash 133MHz

Beschreibung
Betriebstemperatur: -40℃~+85℃ Betriebsspannung: 2.7V~3.6V
Schnittstellentyp: SPI Speicherkapazität: -
Taktfrequenz (fc): 133MHz Seitenschreibzeit (Tpp): 400us
Hervorheben:

GD25Q16ESIG 3

,

3V NOR-Flash

,

Uniform Sector Serien-Flash 133MHz

GD25Q16ESIG 3,3V Uniform Sector Dual und Quad Serial Flash 133MHz
Produktübersicht
16-Mbit serielle Flash-Speicher mit fortschrittlichen SPI-Schnittstellen, hoher Geschwindigkeit und robusten Sicherheitsfunktionen für industrielle Anwendungen.
Hauptmerkmale
  • 16-Mbit Kapazität: Hochdichter serieller Flash-Speicher
  • Schnelle Programmier-/Löschgeschwindigkeit: Seitenprogrammierung: 0,4 ms typisch, Sektorlöschung: 45 ms typisch, Blocklöschung: 0,15 s/0,25 s typisch, Chip-Löschung: 6 s typisch
  • Mehrere SPI-Schnittstellen: Standard-SPI, Dual-SPI und Quad-SPI-Unterstützung
  • Hohe Leistung: 133-MHz-Taktfrequenz mit 30 PF Last, Dual-I/O bis zu 266 Mbit/s, Quad-I/O bis zu 532 Mbit/s
  • Umfassender Schreibschutz: Software-/Hardware-Schreibschutz mit WP#-Pin und Top-/Bottom-Blockschutz
  • Flexible Architektur: Einheitliche 4-KByte-Sektoren und 32/64-KByte-Blöcke
  • Geringer Stromverbrauch: 11 µA typischer Standby-Strom, 1 µA Deep-Power-Down-Strom
  • Erweiterte Sicherheit: 128-Bit eindeutige ID pro Gerät, SFDP-Register, 2x1024-Byte-Sicherheitsregister mit OTP-Sperren
  • Hohe Zuverlässigkeit: 100.000+ Programmier-/Löschzyklen, 20 Jahre Datenspeicherung
  • Einzelne Stromversorgung: 2,7-3,6 V Betriebsspannung im vollen Bereich
Pinbelegung
Pin-Nr. Pin-Name I/O Beschreibung
1 CS# I Chip-Auswahl-Eingang
2 SO (IO1) I/O Datenausgang (Dateneingang/-ausgang 1)
3 WP# (IO2) I/O Schreibschutz-Eingang (Dateneingang/-ausgang 2)
4 VSS Masse
5 SI (IO0) I/O Dateneingang (Dateneingang/-ausgang 0)
6 SCLK I Serieller Takteingang
7 HOLD# (IO3) I/O Hold-Eingang (Dateneingang/-ausgang 3)
8 VCC Stromversorgung
Produktdokumentation
GD25Q16ESIG 3,3V Uniform Sector Dual- und Quad-Serien-Flash 133MHz 0
GD25Q16ESIG 3,3V Uniform Sector Dual- und Quad-Serien-Flash 133MHz 1
GD25Q16ESIG 3,3V Uniform Sector Dual- und Quad-Serien-Flash 133MHz 2
GD25Q16ESIG 3,3V Uniform Sector Dual- und Quad-Serien-Flash 133MHz 3
Verpackung & Versand
Standard-Exportverpackung verfügbar. Kunden können je nach Bedarf zwischen Kartons, Holzkisten und Holzpaletten wählen.
Häufig gestellte Fragen
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Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

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