제품 소개NOR 플래시

GD25Q16ESIG 3.3V 유니폼 섹터 듀얼 및 쿼드 시리즈 플래시 133MHz

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GD25Q16ESIG 3.3V 유니폼 섹터 듀얼 및 쿼드 시리즈 플래시 133MHz

GD25Q16ESIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz
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큰 이미지 :  GD25Q16ESIG 3.3V 유니폼 섹터 듀얼 및 쿼드 시리즈 플래시 133MHz

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: GigaDevice
인증: rohs
모델 번호: GD25Q16ESIG
문서: C2693492_94FAA1AC4E53550D3B...1).pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
접촉 지금 챗팅하세요

GD25Q16ESIG 3.3V 유니폼 섹터 듀얼 및 쿼드 시리즈 플래시 133MHz

설명
작동 온도: -40℃~+85℃ 작동 전압: 2.7V~3.6V
인터페이스 유형: SPI 저장 용량: -
클럭 주파수 (fc): 133MHz 페이지 쓰기 시간(Tpp): 400us
강조하다:

GD25Q16ESIG 3.3V NOR 플래시

,

유니폼 섹터 시리즈 플래시 133MHz

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듀얼 쿼드 SPI 플래시 메모리

GD25Q16ESIG 3.3V 균일 섹터 듀얼 및 쿼드 직렬 플래시 133MHz
제품 개요
고급 SPI 인터페이스, 고속 성능 및 강력한 보안 기능을 갖춘 16M비트 직렬 플래시 메모리로 산업용 애플리케이션에 적합합니다.
주요 특징
  • 16M비트 용량: 고밀도 직렬 플래시 메모리
  • 빠른 프로그램/소거 속도: 페이지 프로그램: 0.4ms 일반, 섹터 소거: 45ms 일반, 블록 소거: 0.15초/0.25초 일반, 칩 소거: 6초 일반
  • 다중 SPI 인터페이스: 표준 SPI, 듀얼 SPI 및 쿼드 SPI 지원
  • 고속 성능: 30PF 부하에서 133MHz 클럭 주파수, 듀얼 I/O 최대 266Mbits/s, 쿼드 I/O 최대 532Mbits/s
  • 포괄적인 쓰기 보호: WP# 핀 및 상단/하단 블록 보호를 통한 소프트웨어/하드웨어 쓰기 보호
  • 유연한 아키텍처: 균일한 4K바이트 섹터 및 32/64K바이트 블록
  • 저전력 소비: 11μA 일반 대기 전류, 1μA 심층 전원 차단 전류
  • 고급 보안: 장치당 128비트 고유 ID, SFDP 레지스터, OTP 잠금 기능이 있는 2x1024바이트 보안 레지스터
  • 높은 신뢰성: 100,000회 이상의 프로그램/소거 사이클, 20년 데이터 보존
  • 단일 전원 공급 장치: 2.7-3.6V 전체 전압 범위 작동
핀 구성
핀 번호 핀 이름 I/O 설명
1 CS# I 칩 선택 입력
2 SO (IO1) I/O 데이터 출력 (데이터 입력 출력 1)
3 WP# (IO2) I/O 쓰기 보호 입력 (데이터 입력 출력 2)
4 VSS 접지
5 SI (IO0) I/O 데이터 입력 (데이터 입력 출력 0)
6 SCLK I 직렬 클럭 입력
7 HOLD# (IO3) I/O 홀드 입력 (데이터 입력 출력 3)
8 VCC 전원 공급 장치
제품 문서
GD25Q16ESIG 3.3V 유니폼 섹터 듀얼 및 쿼드 시리즈 플래시 133MHz 0
GD25Q16ESIG 3.3V 유니폼 섹터 듀얼 및 쿼드 시리즈 플래시 133MHz 1
GD25Q16ESIG 3.3V 유니폼 섹터 듀얼 및 쿼드 시리즈 플래시 133MHz 2
GD25Q16ESIG 3.3V 유니폼 섹터 듀얼 및 쿼드 시리즈 플래시 133MHz 3
포장 및 배송
표준 수출 포장이 가능합니다. 고객은 요구 사항에 따라 상자, 나무 상자 및 나무 팔레트 중에서 선택할 수 있습니다.
자주 묻는 질문
가격은 어떻게 알 수 있나요?
일반적으로 문의 접수 후 24시간 이내(주말 및 공휴일 제외)에 견적을 제공합니다. 긴급 가격 요청은 직접 문의해 주십시오.
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