64Mb 8Mbx8 PSRAM-Chip 166MHz HyperRAM IS66WVH8M8ALL 166B1LI

Name: 64Mb 8Mbx8 PSRAM-Chip 166MHz HyperRAM IS66WVH8M8ALL 166B1LI
Brand: Shenzhen Filetti Technology Co., LTD
SKU: IS66WVH8M8ALL-166B1LI
Availability: InStock

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64Mb 8Mbx8 PSRAM-Chip 166MHz HyperRAM IS66WVH8M8ALL 166B1LI

Großes Bild : 64Mb 8Mbx8 PSRAM-Chip 166MHz HyperRAM IS66WVH8M8ALL 166B1LI

Produktdetails:

Herkunftsort:	KN-Nummer
Markenname:	ISSI
Zertifizierung:	ROHS
Modellnummer:	IS66WVH8M8ALL-166B1LI

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1
Preis:	CONSULT WITH
Verpackung Informationen:	T/R
Lieferzeit:	5-8day
Zahlungsbedingungen:	Western Union, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	10000

Kontakt Plaudern Sie Jetzt

64Mb 8Mbx8 PSRAM-Chip 166MHz HyperRAM IS66WVH8M8ALL 166B1LI

Beschreibung

Hersteller::	ISSI	Produkt-Kategorie::	DRAM
Type::	HyperRAM	Speichergröße::	64 Mbit
Datenbus-Breite::	8 Bit	Paket/Fall::	TFBGA-24
Reihe::	IS66WVH8M8ALL	Feuchtigkeitsempfindlich::	- Ja, das ist es.
Hervorheben:	64Mb PSRAM-Chip , 8Mbx8 PSRAM-Chip , IS66WVH8M8ALL

PSRAM DRAM 64Mb 8Mbx8 166MHz HyperRAM Pseudo-statischer Zufallsspeicher IS66WVH8M8ALL-166B1LI

Produktspezifikationen

Eigenschaft	Wert
Hersteller	ISSI
Produktkategorie	DRAM
Typ	HyperRAM
Speichergröße	64 Mbit
Datenbusbreite	8 Bit
Packung / Gehäuse	TFBGA-24
Reihe	IS66WVH8M8ALL
Feuchtigkeitsempfindlich	- Ja, das ist es.

Produktübersicht

Die IS66/67WVH8M8ALL/BLL sind integrierte Speichergeräte mit 64 Mbit Pseudo-statischem RandomAccess-Speicher, die ein sich selbst erneuernde DRAM-Array verwenden, das als 8M Wörter nach 8 Bit organisiert ist.Das Gerät unterstützt eine HyperBus-Schnittstelle, sehr geringe Signalzahl (Adresse, Befehl und Daten über 8 DQ-Pins), versteckte Aktualisierungsoperation und Automobiltemperaturoperation, speziell für mobile und automobile Anwendungen entwickelt.

Wesentliche Merkmale

HyperBusTM Low Signal Count-Schnittstelle- 3,0 V I/O, 11 Bussignale mit Einzeltakt (CK) oder 1,8 V I/O, 12 Bussignale mit Differential-Uhr (CK, CK#)
Hohe Leistung- Bis zu 333 MB/s mit Doppeldatenrate (DDR)
166-MHz-Taktrate (333 MB/s) bei 1,8 V VCC
100-MHz-Taktgeschwindigkeit (200 MB/s) bei 3,0 V VCC
Konfigurierbare Burst-Eigenschaften mit gewickelten oder linearen Burst-Optionen
24-Ball-FBGA-Paket

Technische Spezifikation

Organisation	8 M x 8
Zugriffszeit	36 ns
Versorgungsspannungsbereich	10,7 V bis 1,95 V
Betriebstemperatur	-40°C bis +85°C
Versorgungsstrom (maximal)	60 mA
Montageart	SMD/SMT
Fabrikverpackung	480
Einheitsgewicht	0.002963 Unzen

Produktbilder

Verpackung und Versand

Standard-Exportverpackungen sind erhältlich, Kunden können je nach Bedarf aus Kartons, Holzkästen und Holzpaletten wählen.

Häufig gestellte Fragen

1Wie bekomme ich den Preis?

Wir zitieren in der Regel innerhalb von 24 Stunden nach Erhalt Ihrer Anfrage (außer am Wochenende und an Feiertagen). Wenn Sie dringend einen Preis benötigen, kontaktieren Sie uns bitte direkt für eine schnellere Antwort.

2- Wie ist Ihre Lieferzeit?

Normalerweise 7-15 Tage für kleine Chargen, etwa 30 Tage für große Chargen.

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Fabrikpreis, 30% Anzahlung, 70% T/T-Zahlung vor Versand.

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Verpackungsart: Schlauch

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Hersteller:: ISSI

Produkt-Kategorie:: SRAM

Speichergröße:: 64 Mbit

Organisation:: 4 M x 16

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Verpackung:: Tray

Marke:: Winbond

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Hersteller:: Winbond

Produkt-Kategorie:: DRAM

Speichergröße:: 256 Mbit

Datenbus-Breite:: 8 Bit

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