64 Mb Hochgeschwindigkeits-PSRAM-Chip CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

Name: 64 Mb Hochgeschwindigkeits-PSRAM-Chip CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI
Brand: Shenzhen Filetti Technology Co., LTD
SKU: IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Availability: InStock

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64 Mb Hochgeschwindigkeits-PSRAM-Chip CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

Großes Bild : 64 Mb Hochgeschwindigkeits-PSRAM-Chip CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

Produktdetails:

Herkunftsort:	KN-Nummer
Markenname:	ISSI
Zertifizierung:	ROHS
Modellnummer:	IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Dokument:	C1350157_PSRAM(_IS66WVE4M16...33.PDF

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1
Preis:	CONSULT WITH
Verpackung Informationen:	T/R
Lieferzeit:	5-8day
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	10000

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64 Mb Hochgeschwindigkeits-PSRAM-Chip CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

Beschreibung

Hersteller::	ISSI	Produkt-Kategorie::	SRAM
Speichergröße::	64 Mbit	Organisation::	4 M x 16
Paket/Fall::	TFBGA-48	Reihe::	IS66WVE4M16EBLL
Type::	Asynchron	Feuchtigkeitsempfindlich::	- Ja, das ist es.
Hervorheben:	64Mb PSRAM-Chip , PSRAM-Chip CMOS 4M x 16 , IS66WVE4M16EBLL

PSRAM 64Mb High-Speed CMOS Pseudo-Static Random Access Memory IS66WVE4M16EBLL-70BLI

Produktspezifikationen

Hersteller	ISSI
Produktkategorie	SRAM
Speichergröße	64 Mbit
Organisation	4 M x 16
Gehäuse/Gehäuse	TFBGA-48
Serie	IS66WVE4M16EBLL
Typ	Asynchron
Feuchtigkeitsempfindlich	Ja
Betriebstemperatur	-40°C bis +85°C
Versorgungsspannung	2,7 V bis 3,6 V

Produktbeschreibung

Das integrierte Speichergerät IS66/67WVE4M16EALL/BLL/CLL enthält 64 Mbit Pseudo-Static Random Access Memory unter Verwendung eines Self-Refresh-DRAM-Arrays, das als 4M Wörter zu 16 Bit organisiert ist. Das Gerät enthält mehrere Energiesparmodi, einschließlich des Partial Array Refresh-Modus und des Deep Power Down-Modus, um den Standby-Stromverbrauch zu reduzieren.

Hauptmerkmale

Asynchrone und Page-Mode-Schnittstelle
Zwei Spannungsversorgungen für optionale Leistung
Page-Mode-Lesezugriff mit 25 ns Intrapage-Lesung
Geringer Stromverbrauch: <30mA Betrieb, <200µA Standby
Deep-Power-Down-Modus: <10µA (typisch)
Temperaturkontrollierte Aktualisierung und Teilarray-Aktualisierung
Industrietemperaturbereich: -40°C bis +85°C
48-Ball-TFBGA-Gehäuse

Produktbilder

Verpackung & Versand

Standard-Exportverpackung verfügbar. Kunden können je nach Bedarf zwischen Kartons, Holzkisten und Holzpaletten wählen.

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Type:: HyperRAM

Speichergröße:: 64 Mbit

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Verpackung:: Tray

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